ZHCAG44 January   2026 BQ76952

 

  1.   1
  2.   Abstract
  3. 1 低边/高边保护方案简介
  4. 2 短路保护导致DFET过压损坏
    1. 2.1 低边保护方案
    2. 2.2 高边保护方案
    3. 2.3 小结
  5. 3 短路保护导致DFET过热损坏
    1. 3.1 低边保护方案
    2. 3.2 高边保护方案
    3. 3.3 小结
  6. 4总结
  7. 5参考文献

3.3 小结

总而言之，相比低边保护方案，高边保护方案由于DFET的S极与P+相连，不被钳位，因此在短路保护时会被负载侧寄生电感的感应电压拉低至负压从而导致DFET关断缓慢，从而更容易过热损坏。