ZHCAG44 January   2026 BQ76952

 

  1.   1
  2.   Abstract
  3. 1 低边/高边保护方案简介
  4. 2 短路保护导致DFET过压损坏
    1. 2.1 低边保护方案
    2. 2.2 高边保护方案
    3. 2.3 小结
  5. 3 短路保护导致DFET过热损坏
    1. 3.1 低边保护方案
    2. 3.2 高边保护方案
    3. 3.3 小结
  6. 4总结
  7. 5参考文献

3.1 低边保护方案

对于低边保护方案，以BQ76940为例，DFET在关断瞬间，G极电压VG被内置二极管钳位在-0.3V左右，S极电压VS被钳位在BAT-也等于0V。

低边保护方案-放电管DFET关断等效电路 图 3-4 低边保护方案-放电管DFET关断等效电路

图 3-5 所示为BQ76940 DSG Pin等效电路，当AFE关断DFET时，DSG Pin通过AFE内部的RDSG_OFF拉地，因此关断的时间只取决于DFET的结电容以及放电电阻RDSG_OFF=2.5KOhm。

当DFET的G极电压下降到满足以下条件即可彻底关断DFET。

方程式 6. V G < V G S t h D F E T
BQ76940 DSG引脚等效图 图 3-5 BQ76940 DSG引脚等效图

当然用户也可以通过DSG Pin与DFET的G极放置一个额外的电阻进一步调节关断速度。