对于高边保护方案，以BQ76952为例，DFET在关断时，G极对地放电，电压V_G会被内置二极管钳位在-0.3V左右，但S极电压V_S却因为寄生电感的大小而被拉低至-V_L1，因此即使G极已经对地放电至-0.3V，GS电压V_GS仍然等于V_L1-0.3V， 而只要满足以下条件：

DFET就无法完全关断。

而GS电压因为无法通过DSG Pin来泄放结电容上的电压，而只能通过DFET的GS两端所并联的电阻来泄放，但是该电阻主要是用来避免GS端的静电聚集，防止误开通，所以该电阻通常会取比较大，因为较小的GS电阻会增加BQ76952充电泵的直流负载，而BQ76952不建议较大直流负载，所以该GS 电阻通常为兆欧级电阻，如参考文献3和参考文献4中都选用的10兆欧，所以结电容的充放电电流都是uA级别，所以整个关断时间就会很慢，从而在关断过程中产生大量的热损耗，导致DFET过热损坏。