ZHCAG44 January   2026 BQ76952

 

  1.   1
  2.   Abstract
  3. 1 低边/高边保护方案简介
  4. 2 短路保护导致DFET过压损坏
    1. 2.1 低边保护方案
    2. 2.2 高边保护方案
    3. 2.3 小结
  5. 3 短路保护导致DFET过热损坏
    1. 3.1 低边保护方案
    2. 3.2 高边保护方案
    3. 3.3 小结
  6. 4总结
  7. 5参考文献

2.1 低边保护方案

为了简化分析，本文分别将负载侧和电池侧的寄生电感等效为L1和L2。

图 2-1 所示为低边保护方案中，DFET短路保护关断后的等效电路。

低边保护方案-放电管DFET关断等效电路 图 2-1 低边保护方案-放电管DFET关断等效电路

在短路保护之后，DSG关断，流过L1的电流没有续流回路，快速从Io减小至零，则在L1上就会感应到很大的感应电压：

方程式 1. V L 1 = L 1 d I O d t

而流过L2的电流同样因为没有续流回路，所以流过L2的电流也会快速从Io减小至零，则在L2上也会感应到很大的感应电压：

方程式 2. V L 2 = L 2 d I O d t

因此DS两端电压可以用如下表达式表达：

方程式 3. V D S _ L S = V L 1 + V L 2 + V b a t = L 1 d I O d t + L 2 d I O d t + V b a t