5 总结

如前几节所述，与 TL 拓扑相比，SHB 拓扑具有更高的功率密度。无论是在初级侧用作开关，还是在次级侧用作同步整流器，堆叠半桥拓扑均可充分弥补在 800V 电池应用中使用 650V GaN HEMT LMG3522R030-Q1 所需的间隙。C2000 器件的 5 型 ePWM 模块可满足 SHB 拓扑的特殊 PWM 要求。测试结果表明，在 800V 场景下，SHB 同样具备高效率与优异的负载瞬态性能，其表现与 PMP41078 中，原始拓扑在 400V 场景下的性能相当，这有助于推动该技术从隔离型应用拓展至非隔离型应用。