2 改装项目

辅助绕组电压反映了 VDS 波形，因此 VDS 电压尖峰也会影响 VDD 电压。当输出负载增加时，VDS 电压尖峰也会增加，因此 VDD 电压在满载时充电会更高。

这就是增加 RCD 缓冲器的原因。此外，在辅助绕组中添加额外的缓冲器，以避免 IC 在重负载下触发 VDD OVP。

TI 还发布了电源设计小贴士培训视频，介绍如何微调 RC 缓冲器。

图 2-2 和图 2-3 展示了不同负载下的 VDS (Ch1)、Vaux(Ch2) 和 VDD(Ch3) 波形，VDD 在较高负载下会升高。

下面列出了具体更改：

• 变压器更改为 RM10 Bobbin。
• Lm：660uH；Lr：11uH
• Np：Ns：Na = 39：5：6
• C6：10nF
• R1：80KΩ
• R7：10Ω
• R19：23.4KΩ
• R10：5KΩ
• 在辅助电源处添加额外的 RC 滤波器
• R22：10Ω
• C27：470pF