ZHCSPX9D September 2005 – November 2023 XTR117
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
外部晶体管,Q1,传导绝大多数满量程输出电流。在高环路电压 (40V) 和 20mA 输出电流下,该晶体管的功率耗散可接近 0.8W。XTR117 设计为使用外部晶体管来避免片上出现热致误差。Q1 产生的热量仍会导致环境温度发生变化,从而影响 XTR117 性能。为了更大限度地减少这些影响,请将 Q1 放置在远离敏感模拟电路(包括 XTR117)的位置。安装 Q1 可将热量传导到换能器外壳的外部。
XTR117 旨在使用几乎任何具有足够电压、电流和额定功率的 NPN 晶体管。外壳类型和热安装注意事项常常影响任一指定应用的选择。图 6-1 中列出了几种可能的选择。MOSFET 晶体管不会提高 XTR117 的精度,因此不建议使用。尽管 XTR117 无需额外的外部晶体管即可使用,但由于存在自热问题,这种配置在较高环路电压和电流下并不总是实用。