ZHCSPX9D September   2005  – November 2023 XTR117

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值 #GUID-A1BA2296-600A-4764-BBF1-62E55FF362E3/GUID-7F491310-4E37-4E2F-922E-35EFD7CCE84F
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 反向电压保护
      2. 6.3.2 过压浪涌保护
      3. 6.3.3 VSON 封装
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 外部晶体管
      2. 7.1.2 最小输出电流
      3. 7.1.3 偏移输入
      4. 7.1.4 射频干扰
      5. 7.1.5 最大输出电流
      6. 7.1.6 电路稳定性
    2. 7.2 典型应用
    3. 7.3 布局
      1. 7.3.1 布局指南
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DGK|8
  • DRB|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.1.6 电路稳定性

对于任何 XTR117 设计，都必须评估 4mA 至 20mA 控制环路的稳定性。对于大多数应用，建议在 V+ 和 IO 之间使用 10nF 去耦电容器。由于该电容从稳定性的角度而言与负载电阻 RLOAD 并联，因此电容器和电阻器将形成一个滤波器转角，可限制系统的带宽。因此，对于 HART 应用，请改用 2nF 至 3nF 的旁路电容。

对于存在 EMI 和 EMC 问题的应用，请使用具有足够低 ESR 的旁路电容器将 VLOOP 电源的任何纹波电压去耦。否则，纹波电压会耦合到 4mA 至 20mA 电流源上，并在电流到电压转换后作为 RLOAD 上的噪声出现。