ZHCSY76A May   2025  – September 2025 UCC25661-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入功率比例控制
        1. 7.3.1.1 电压前馈
      2. 7.3.2 VCR 合成器
        1. 7.3.2.1 TSET 编程
      3. 7.3.3 反馈链(控制输入)
      4. 7.3.4 自适应死区时间
      5. 7.3.5 输入电压检测
        1. 7.3.5.1 过压和欠压阈值以及选项
        2. 7.3.5.2 输出 OVP 和外部 OTP
      6. 7.3.6 谐振回路电流检测
    4. 7.4 保护功能
      1. 7.4.1 零电流开关 (ZCS) 保护
      2. 7.4.2 软启动期间的最小电流关断
      3. 7.4.3 逐周期电流限制和短路保护
      4. 7.4.4 过载保护 (OLP)
      5. 7.4.5 VCC OVP 保护
    5. 7.5 器件功能模式
      1. 7.5.1 启动
        1. 7.5.1.1 有 HV 启动
        2. 7.5.1.2 无 HV 启动
      2. 7.5.2 软启动斜坡
        1. 7.5.2.1 启动到调节的转换
      3. 7.5.3 轻负载管理
        1. 7.5.3.1 工作模式(突发模式)
        2. 7.5.3.2 模式转换管理
        3. 7.5.3.3 突发模式阈值编程
        4. 7.5.3.4 PFC 开/关
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1  LLC 功率级要求
        2. 8.2.2.2  LLC 增益范围
        3. 8.2.2.3  ‌选择 Ln 和 Qe
        4. 8.2.2.4  确定等效负载电阻
        5. 8.2.2.5  确定 LLC 谐振电路的元件参数
        6. 8.2.2.6  LLC 初级侧电流
        7. 8.2.2.7  LLC 次级侧电流
        8. 8.2.2.8  LLC 变压器
        9. 8.2.2.9  LLC 谐振电感器
        10. 8.2.2.10 LLC 谐振电容器
        11. 8.2.2.11 LLC 初级侧 MOSFET
        12. 8.2.2.12 自适应死区时间的设计注意事项
        13. 8.2.2.13 LLC 整流器二极管
        14. 8.2.2.14 LLC 输出电容器
        15. 8.2.2.15 HV 引脚串联电阻器
        16. 8.2.2.16 BLK 引脚分压器
        17. 8.2.2.17 ISNS 引脚微分器
        18. 8.2.2.18 TSET 引脚
        19. 8.2.2.19 OVP/OTP 引脚
        20. 8.2.2.20 突发模式编程
        21. 8.2.2.21 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 VCCP 引脚电容器
      2. 8.3.2 引导电容器
      3. 8.3.3 V5P 引脚电容器
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

自适应死区时间的设计注意事项

在设计完谐振回路并选择初级侧 MOSFET 后,检查转换器的 ZVS 工作状态。当栅极关断沿的谐振电感器中剩余足够的电流给开关节点电容放电时,能实现 ZVS。当电感能量大于有效电容能量时,也可实现 ZVS,其中有效电容为功率级中两个开关管的 Coss。UCC256614-Q1 基于开关节点的转换实现自适应死区时间。转换检测电路的检测范围为 0.1V/ns 至 200V/ns。

为了检查 ZVS 操作,控制器进行了一系列时域模拟,并捕获了栅极关断边缘的谐振电流。下方显示了示例图:

UCC25661-Q1 自适应死区时间图 8-2 自适应死区时间

图 8-2 假设在 5% 负载时出现最大开关频率,且系统在 5% 负载时开始突发。

图 8-2 中可以看出,在感兴趣运行范围内,回路中剩余的最小谐振电流为 Imin = 0.8A。需要使用初级侧开关节点的寄生电容来计算压摆率。根据 MOSFET 数据表中给出的 Coss 值估算压摆率。在本例中,Cswitchnode = 400pF,因为每个 MOSFET 的 Coss 为 200pF。最小压摆率由以下公式计算得出:

方程式 44. I M I N C s w i t c h n o d e = 0.8 A 400 p F = 2 V / n s

最小压摆率大于 0.1V/ns 的最小可检测压摆率,这有助于实现 ZVS 的维持。