ZHCSIX8F October 2018 – July 2026 UCC23513
PRODUCTION DATA
UCC23513 系列的输出级采用上拉结构,从而在电源开关导通转换的米勒平坦区期间最需要时(此时电源开关漏极或集电极电压经历 dV/dt)提供最高的峰值拉电流。输出级上拉结构具备一个 P 沟道 MOSFET 与一个额外的上拉 N 沟道 MOSFET(并联)。N 沟道 MOSFET 的功能是提供峰值源电流的短暂提升,从而实现快速导通。快速导通是通过在输出状态从低电平变为高电平时,在短时间内短暂导通 N 沟道 MOSFET 来实现的。该 N 沟道 MOSFET 的导通电阻 (RNMOS) 在激活时约为 5.1Ω。
| RNMOS | ROH | ROL | 单位 |
|---|---|---|---|
| 5.1 | 9.5 | 0.40 | Ω |
ROH 参数是直流测量值,仅代表 P 沟道器件的导通电阻。这是因为上拉 N 通道器件在直流条件下保持在关断状态,并且仅在输出状态从低电平变为高电平时短暂导通,因而,此参数只能用于 P 通道器件中。因此,在该短暂导通阶段 UCC23513 上拉级的有效电阻远低于 ROH 参数表示的有效电阻,从而能够更快地导通。导通阶段输出电阻是并联组合 ROH || RNMOS。
UCC23513 中的下拉结构仅由 N 沟道 MOSFET 组成。由于可提供极低压降的 MOS 输出级,因此 VCC 和 VEE 之间的输出电压摆动能够实现轨到轨运行。