ZHCSRQ6C February   2023  – March 2024 UCC14341-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  绝缘规格
    6. 6.6  电气特性
    7. 6.7  安全限值
    8. 6.8  安全相关认证
    9. 6.9  绝缘特性
    10. 6.10 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 功率级运行
        1. 7.3.1.1 VDD-VEE 电压调节
        2. 7.3.1.2 COM-VEE 电压调节
        3. 7.3.1.3 功率处理能力
      2. 7.3.2 输出电压软启动
      3. 7.3.3 ENA 和 PG
      4. 7.3.4 保护功能
        1. 7.3.4.1 输入欠压锁定
        2. 7.3.4.2 输入过压锁定
        3. 7.3.4.3 输出欠压保护
        4. 7.3.4.4 输出过压保护
        5. 7.3.4.5 过功率保护
        6. 7.3.4.6 过热保护
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 电容器选型
        2. 8.2.2.2 单个 RLIM 电阻器选型
        3. 8.2.2.3 RDR 电路元件选型
        4. 8.2.2.4 反馈电阻器选型
    3. 8.3 系统示例
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
  13. 12卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性

在工作温度范围(TJ = –40°C 至 150°C)内,VVIN = 13.5V 至 16.5V,CIN = 20µF,COUT = 10µF,RLIM = 1kΩ,VENA = 5V,除非另有说明。所有典型值均是在 TA = 25°C 且 VVIN = 15V 时测得。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入电源(初级侧,所有电压均以 GNDP 为基准)
VVIN 输入电压范围,UCC14341-Q1 初级侧输入电压至 GNDP 13.5 15 18 V
输入电压范围,UCC14341B-Q1 初级侧输入电压至 GNDP 8.5 15 18 V
IVINQ_OFF VIN 静态电流,已禁用 VENA = 0V;VVIN = 13.5V 至 16.5V 600 µA
IVIN_ON_NO_LOAD VIN 工作电流,已启用,空载 VENA = 5V;VVIN = 13.5V 至 16.5V;(VDD-VEE) = 25V 调节;IVDD-VEE = 0mA。单路输出。 35 mA
IVIN_ON_FULL_LOAD VIN 工作电流,已启用,满载 VENA = 5V;VVIN = 13.5V 至 16.5V;(VDD-VEE) = 25V 调节;IVDD-VEE = 60mA。单路输出。 190 mA
UVLOP 比较器(初级侧,所有电压均以 GNDP 为基准)
VVIN_UVLOP_RISE_341B VIN 模拟欠压锁定上升阈值。  UCC14341B-Q1 的 UVLOP 开始切换。 模拟比较器始终先运行 7.8 8.2 8.5 V
VVIN_UVLOP_FALL_341B VIN 模拟欠压锁定下降阈值。  UCC14341B-Q1 的 UVLOP 开始切换。  而且复位 UCC14341-Q1 和 UCC14341B-Q1 的故障阈值。 模拟比较器始终先运行 7 7.4 7.7 V
VVIN_UVLOP_RISE_341 VIN 欠压锁定上升阈值。UCC14341-Q1 的 UVLOP 开始切换。 11.4 12 12.6 V
VVIN_UVLOP_FALL_341 VIN 欠压锁定下降阈值。  UCC14341-Q1 的 UVLOP 开始切换。 9.975 10.5 11 V
OVLO 比较器(初级侧,所有电压均以 GNDP 为基准)
VVIN_OVLO_RISING VIN 过压锁定上升阈值 20.9 22 23.1 V
VVIN_OVLO_FALLING VIN 过压锁定下降阈值 19 20 21 V
TSHUTP 热关断比较器(初级侧,所有电压均以 GNDP 为基准)
TSHUTPPRIMARY_RISING 初级侧过热关断上升阈值 首次上电时,TJ 需要 < 140°C 才能启用 150 160 170 °C
TSHUTPPRIMARY_HYST 初级侧过热关断迟滞 15 20 25 °C
ENA 输入引脚(初级侧,所有电压均以 GNDP 为基准)
VEN_IR 输入电压上升阈值,逻辑高电平 上升沿 1.25 1.95 V
VEN_IF 输入电压下降阈值,逻辑低电平 下降沿 0.84 1.56 V
IEN 使能引脚输入电流 VENA = 5.0V 5 10 µA
PG 开漏输出引脚(初级侧,所有电压均以 GNDP 为基准)
VPG_OUT_LO PG 输出低饱和电压 灌电流 = 5mA,电源正常 0.5 V
IPG_OUT_HI PG 漏电流 VPG = 5.5V,电源不正常 5 µA
初级侧控制(所有电压均以 GNDP 为基准)
FSW 开关频率 VVIN = 15V;VENA = 5V;(VDD-VEE) = 25V 15 MHz
FSSM 展频调制 (SSM) 三角波形的频率 仅在初级侧启动期间,在 VIN > UVLOP 且 ENA = 高电平之后启动;FSS_BURST_P = 125kHz 90 kHz
FCARRIER 的 SSM 百分比变化 三角波形展频调制 (SSM) 期间载波频率的 SSM 百分比变化 仅在初级侧启动期间,在 VIN > UVLOP 且 ENA = 高电平之后启动;FSS_BURST_P = 125kHz 5 %
tSOFT_START_TIME_OUT 初级侧软启动超时 当 VIN > UVLOP 且 ENA = 高电平时计时器开始工作,当电源正常引脚指示正常时复位 28.4 ms
(VDD-VEE) 输出电压(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准)
VVDD_RANGE (VDD-VEE) 输出电压范围 15 25 V
VVDD_DC_ACCURACY (VDD-VEE) 输出电压直流调节精度
次级侧 (VDD-VEE) 输出电压,在负载、线性变化和温度范围内,通过外部电阻分压器进行外部调节
 
-1.3 1.3 %
(VDD-VEE) 调节迟滞比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准)
VFBVDD_REF (VDD-VEE) 的反馈调节基准电压 (VDD-VEE) 稳压输出 2.4675 2.5 2.5325 V
VFBVDD_HYSTCMP_HYST VISO1 迟滞比较器迟滞设置。
VFB 引脚迟滞。[例如:如果外部电阻分压器增益为 1/10V/V,VISO1 将是 10 倍;当 VFB = 2.5V 时,VISO1 = 25V];请参阅“说明”
迟滞设置 1 9 10 12.3 mV
(COM-VEE) 输出电压(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准)
VVEE_RANGE (COM-VEE) 输出电压范围 次级侧 (COM-VEE),通过外部电阻分压器进行调节 2.5 (VDD-VEE) V
VVEE_DC_ACURACY
(COM-VEE)
输出电压直流
调节精度

 

次级侧 (COM-VEE)
输出电压,在负载、线性变化和温度范围内,通过外部电阻分压器
进行外部调节
-1.3 1.3 %
(COM-VEE) 调节迟滞比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准)
VFBVEE_REF (COM-VEE) 的反馈调节基准电压 (COM-VEE) 稳压输出 2.4675 2.5 2.5325 V
VRLIM_SHORT_CHRG_CMP_RISE 用于退出 PWM 的 Rlim 短路充电比较器上升阈值 上升阈值 0.73 V
tRLIM_SHORT_CHRG_ON_TIME RLIM 引脚短路充电 PWM 模式期间的导通时间 RLIM 引脚 < 0.645V,而 FBVEE 引脚 < 2.48V 1.2 us
tRLIM_SHORT_CHRG_OFF_TIME RLIM 引脚短路充电 PWM 模式期间的关断时间 RLIM 引脚 < 0.645V,而 FBVEE 引脚 < 2.48V 5 us
(VDD-VEE) UVLO 比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准)
VVDD_UVLOS_RISING (VDD-VEE) 欠压锁定上升阈值 FBVDD 处的电压 0.9 V
VVDD_UVLOS_HYST (VDD-VEE) 欠压锁定迟滞 FBVDD 处的电压 0.2 V
(VDD-VEE) OVLO 比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准)
VVDD_OVLOS_RISING (VDD-VEE) 过压锁定上升阈值 电压范围为 VDD 至 VEE,上升 29.45 31 32.55 V
VVDD_OVLOS_FALLING (VDD-VEE) 过压锁定下降阈值 电压范围为 VDD 至 VEE,下降 27.55 29 30.45 V
软启动(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准)
tdeglitch 软启动后、PG 之前,(VDD-VEE) UVP 和 (COM-VEE) UVP 及 OVP 的消隐时间 3 ms
(VDD-VEE) UVP,欠压保护比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准)
VVDD_UVP_RISING (VDD-VEE) 欠压保护上升阈值,VUVP = VREF × 90% 2.175 2.25 2.35 V
VVDD_UVP_HYST (VDD-VEE) 欠压保护迟滞 20 mV
(VDD-VEE) OVP,过压保护比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准)
VVDD_OVP_RISING (VDD-VEE) 过压锁定上升阈值,VOVP = VREF × 110% 2.7 2.75 2.825 V
VVDD_OVP_HYST (VDD-VEE) 过压保护迟滞 20 mV
(COM-VEE) UVP,欠压保护比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准)
VVEE_UVP_RISING (COM-VEE) 欠压保护上升阈值,VUVP = VREF × 90% 2.1 2.25 2.4 V
VVEE_UVP_HYST (COM-VEE) 欠压保护迟滞 20 mV
(COM-VEE) OVP,过压保护比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准)
VVEE_OVP_RISING (COM-VEE) 过压保护上升阈值,VOVP = VREF × 110% 2.7 2.75 2.825 V
VVEE_OVP_HYST (COM-VEE) 过压保护迟滞 20 mV
TSHUTS 热关断比较器(次级侧,所有电压均以 VEE 为基准)
TSHUTSSECONDARY_RISE 次级侧过热关断上升阈值 首次上电时,Tj 需要 < 140oC 才能启用。 150 160 170 °C
TSHUTSSECONDARY_HYST 次级侧过热关断迟滞 15 20 25 °C
CMTI(共模瞬态抗扰度)
CMTI 共模瞬态抗扰度 以 GNDP 为基准的正 VEE 150 V/ns
以 GNDP 为基准的负 VEE -150 V/ns
集成式 MAGLAM 变压器(初级侧至次级侧。注意:这些值对于每个 XFMR 版本都是唯一的)
N 变压器有效匝数比 次级侧至初级侧 2.02 -