ZHCSRQ6C February   2023  – March 2024 UCC14341-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  绝缘规格
    6. 6.6  电气特性
    7. 6.7  安全限值
    8. 6.8  安全相关认证
    9. 6.9  绝缘特性
    10. 6.10 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 功率级运行
        1. 7.3.1.1 VDD-VEE 电压调节
        2. 7.3.1.2 COM-VEE 电压调节
        3. 7.3.1.3 功率处理能力
      2. 7.3.2 输出电压软启动
      3. 7.3.3 ENA 和 PG
      4. 7.3.4 保护功能
        1. 7.3.4.1 输入欠压锁定
        2. 7.3.4.2 输入过压锁定
        3. 7.3.4.3 输出欠压保护
        4. 7.3.4.4 输出过压保护
        5. 7.3.4.5 过功率保护
        6. 7.3.4.6 过热保护
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 电容器选型
        2. 8.2.2.2 单个 RLIM 电阻器选型
        3. 8.2.2.3 RDR 电路元件选型
        4. 8.2.2.4 反馈电阻器选型
    3. 8.3 系统示例
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
  13. 12卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5 引脚配置和功能


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图 5-1 DWN 封装，36 引脚 SSOP（顶视图）
表 5-1 引脚功能
引脚类型(1)说明
名称编号
GNDP1、2、5、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18GVIN 的初级侧接地连接。引脚 1、2 和 5 是模拟地。引脚 8、9、10、11、12、13、14、15、16、17 和 18 是电源地。在覆铜上放置几个过孔以进行散热。请参阅布局指南 部分。
PG3O

低电平有效电源正常开漏输出引脚。当 (VVIN_UVLOP ≤ VVIN ≤ VVIN_OVLOP)、(VVDD_UVP ≤ VFBVDD ≤ VVDD_OVP)、(VVEE_UVP ≤ VFBVEE ≤ VVEE_OVP)、TJ_Primary ≤ TSHUTPPRIMARY_RISE 和 TJ_secondary ≤ TSHUTSSECONDARY_RISE 时，PG 保持低电平

ENA4I使能引脚。强制 ENA 为低电平会禁用器件。上拉至高电平以启用正常的器件功能。建议最大值为 5.5V。
VIN6、7P

初级输入电压。引脚 6 用于模拟输入，引脚 7 用于电源输入。对于引脚 7，将两个 10µF 陶瓷电容器从电源 VIN 引脚 7 连接到电源 GNDP 引脚 8。在引脚 7 和引脚 8 附近连接一个 0.1µF 高频旁路陶瓷电容器。

VEE19、20、21、22、23、24、25、26、27、30、31、36G

用于 VDD 和 COM 的次级侧基准连接。VEE 引脚用于高电流返回路径。

VDD28、29P

来自变压器的次级侧隔离式输出电压。在 VDD 到 VEE 之间连接一个 10μF 和一个并联 0.1µF 陶瓷电容器。0.1μF 陶瓷电容器是高频旁路，必须靠近 IC 引脚。

RLIM32P第二个次级侧隔离式输出电压电阻，用于限制从 VDD 到 COM 节点的拉电流和从 COM 到 VEE 的灌电流。在 RLIM 和 COM 之间连接一个电阻来调节 (COM – VEE) 电压。有关更多详情，请参阅 RLIM 电阻器选型。
FBVEE33I反馈 (COM – VEE) 输出电压检测引脚用于调整输出 (COM – VEE) 电压。在 COM 到 VEE 之间连接一个电阻分压器，以使中点连接到 FBVEE，且稳压时的等效 FBVEE 电压为 2.5V。添加一个 330pF 陶瓷电容器，与低侧反馈电阻器并联实现高频去耦。用于高频旁路的 330pF 陶瓷电容器必须紧挨着顶层或背层（两层通过过孔连接）的 FBVEE 和 VEEA IC 引脚。
FBVDD34I反馈 (VDD – VEE) 输出电压检测引脚用于调整输出 (VDD – VEE) 电压。在 VDD 到 VEE 之间连接一个电阻分压器，以使中点连接到 FBVDD，且稳压时的等效 FBVDD 电压为 2.5V。添加一个 330pF 陶瓷电容器，与低侧反馈电阻器并联实现高频去耦。用于高频旁路的 330pF 陶瓷电容器必须紧挨着顶层或背层（两层通过过孔连接）的 FBVDD 和 VEEA IC 引脚。
VEEA35G用于噪声敏感模拟反馈输入、FBVDD 和 FBVEE 的次级侧模拟检测基准连接。将低侧反馈电阻和高频去耦滤波电容连接到靠近 VEEA 引脚和各自的反馈引脚 FBVDD 或 FBVEE。连接到次级侧栅极驱动最低电压基准 VEE。使用单点连接并将高频去耦陶瓷电容器靠近 VEEA 引脚放置。请参阅布局指南 部分。
(1) P = 电源，G = 地，I = 输入，O = 输出