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ZHCSRQ6C February 2023 – March 2024 UCC14341-Q1

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DWN|36
- MPSS132

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcsrq6c_oa

8.2.2.3 RDR 电路元件选型

可根据以下公式选择 R_LIM1 值

方程式 14.

R_{L I M 1} = \frac{(V_{V D D - V E E} - V_{C O M - V E E})}{(C_{O U T 3} \times (1 + {∆ C}_{O U T 3_P O S}) \times (\frac{0.1 \times V_{C O M - V E E}}{0.003}) + {∆ I}_{C O M_S O U R C E})} - R_{L I M_I N T}

其中

当 I_COM-VEE>I_VDD-COM 时，∆I_{COM_SOURCE}=I_COM-VEE-I_VDD-COM。否则，∆I_{COM_SOURCE}=0A。

当计算得出的 R_LIM1 值大于 3kΩ 时，我们建议 R_LIM1 使用 3kΩ 电阻器。原因是使用 >3kΩ 电阻器节省的额外功率损耗非常有限，建议使用最大 3kΩ 电阻器，以通过 R_LIM1 保留足够的拉电流能力来应对瞬态事件。

可根据以下公式选择 R_LIM2 值

方程式 15.

R_{L I M 2} = \frac{V_{C O M - V E E} - 0.5}{V_{C O M - V E E} ∙ (\frac{1}{R_{L I M_M A X_L}} - \frac{1}{R_{L I M_M A X_H}})}

其中，R_{LIM_MAX_L} 是“单个 R_LIM 电阻器选型”部分中介于 R_{LIM_MAX_L1} 和 R_{LIM_MAX_L2} 之间的最小值，而 0.5V 表示 D_LIM 的二极管正向压降。

当计算出的 R_LIM1 和 R_LIM2 值具有足够大的差异时，RDR 效率提升很显著。如果 R_LIM1 和 R_LIM2 值接近，则可以考虑使用单个 R_LIM 电阻器来减少外部元件。

R_LIM1 的功率损耗可根据下式推导出

方程式 16.

P_{R L I M 1} = \frac{{V_{V D D - C O M}}^{2}}{R_{L I M 1}} {D u t y}_{R L I M} + {(I_{S I N K} x \frac{V_{C O M - V E E} {\times R}_{L I M 2}}{V_{C O M - V E E} {\times R}_{L I M 2} + (V_{C O M - V E E} - 0.5) {x R}_{L I M 1}})}^{2} {\times R}_{L I M 1}

其中

方程式 17.

I_{S I N K} = {[\frac{C_{O U T 2} \times (1 - {∆ C}_{O U T 2})}{C_{O U T 2} \times (1 - {∆ C}_{O U T 2}) + C_{O U T 3} \times (1 - {∆ C}_{O U T 3})} - \frac{C_{O U T 2}}{C_{O U T 2} + C_{O U T 3}}] \times Q}_{G_{T o t a l}} \times f_{S W} + {∆ I}_{C O M_{S I N K}}

R_LIM2 的功率损耗可根据下式近似得出

方程式 18.

P_{R L I M 2} = {(I_{S I N K} \times \frac{(V_{C O M - V E E} - 0.5) {x R}_{L I M 1}}{V_{C O M - V E E} {\times R}_{L I M 2} + (V_{C O M - V E E} - 0.5) {x R}_{L I M 1}})}^{2} {\times R}_{L I M 2}

二极管 D_LIM 的最大额定电压需要考虑最高 V_VDD-to-VEE。D_LIM 的最大额定电流可以根据最坏情况下持续电流的降额 (V_COM-to-VEE – V_{F_DLIM}) / R_LIM2 来选择，其中 V_{F_DLIM} 是 D_LIM 的正向电压。二极管封装尺寸是根据正向导通中的功率损耗 P_{Loss_DLIM} = V_{F_DLIM} x ((V_COM-to-VEE – V_{F_DLIM}) / R_LIM2) 确定的。建议使用肖特基二极管来降低功率损耗。