ZHCSQ20A August   2023  – September 2023 UCC14130-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 绝缘规格
    6. 7.6 电气特性
    7. 7.7 安全限值
  9. 8 安全相关认证
  10. 9 绝缘特性
  11. 10典型特性
  12. 11详细说明
    1. 11.1 概述
    2. 11.2 功能方框图
    3. 11.3 特性说明
      1. 11.3.1 功率级运行
        1. 11.3.1.1 VDD-VEE 电压调节
        2. 11.3.1.2 COM-VEE 电压调节
        3. 11.3.1.3 功率处理能力
      2. 11.3.2 输出电压软启动
      3. 11.3.3 ENA 和 PG
      4. 11.3.4 保护功能
        1. 11.3.4.1 输入欠压锁定
        2. 11.3.4.2 输入过压锁定
        3. 11.3.4.3 输出欠压保护
        4. 11.3.4.4 输出过压保护
        5. 11.3.4.5 过功率保护
        6. 11.3.4.6 过热保护
    4. 11.4 器件功能模式
  13. 12应用和实施
    1. 12.1 应用信息
    2. 12.2 典型应用
      1. 12.2.1 设计要求
      2. 12.2.2 详细设计过程
        1. 12.2.2.1 电容器选型
        2. 12.2.2.2 单个 RLIM 电阻器选型
        3. 12.2.2.3 RDR 电路元件选型
        4. 12.2.2.4 反馈电阻器选型
    3. 12.3 系统示例
  14. 13电源相关建议
  15. 14布局
    1. 14.1 布局指南
    2. 14.2 布局示例
  16. 15器件和文档支持
    1. 15.1 文档支持
      1. 15.1.1 相关文档
    2. 15.2 接收文档更新通知
    3. 15.3 支持资源
    4. 15.4 商标
    5. 15.5 静电放电警告
    6. 15.6 术语表
  17. 16机械、封装和可订购信息
  18. 17卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.6 电气特性

在工作温度范围 (–40°C ≤ TJ ≤ 150°C) 内，8V ≤ VVIN ≤ 18V，CIN = 20µF，COUT = 10µF，VENA = 5V，RLIM = 1kΩ，除非另有说明。TJ = 25°C 且 VVIN = 12V 时的所有典型值。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入电源（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
VVIN 输入电压范围(1) 初级侧输入电压至 GNDP，1W 输出功率 8 12 18 V
IVINQ_OFF VIN 静态电流，已禁用 VENA = 0V；VVIN =8V 至 18V 600 µA
IVIN_ON_NO_LOAD VIN 工作电流，已启用，空载 VENA = 5V；VVIN = 8V 至 18V；(VDD-VEE) = 12V 调节；IVDD-VEE = 0mA 40 mA
IVIN_ON_FULL_LOAD VIN 工作电流，已启用，满载 VENA = 5V；VVIN = 10V 至 18V；(VDD-VEE) = 12V 调节；IVDD-VEE = 83mA 200 mA
IVIN_ON_FULL_LOAD VIN 工作电流，已启用，满载 VENA = 5V；VVIN = 10.8V 至 13.2V；(VDD-VEE) = 12V 调节；IVDD-VEE = 125mA 270 mA
UVLOP 比较器（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
VVIN_UVLOP_RISING VIN 欠压锁定上升阈值 VIN 上升 7.8 8.2 8.5 V
VVIN_ UVLOP_FALLING VIN 欠压锁定下降阈值 VIN 下降 7 7.4 7.7 V
OVLO 比较器（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
VVIN_OVLO_RISE VIN 过压锁定上升阈值 VIN 上升 20.9 22 23.1 V
VVIN_OVLO_FALLING VIN 过压锁定下降阈值 VIN 下降 19 20 21 V
热关断（初级侧）
TSHUTPPRIMARY_RISE 初级侧过热关断上升阈值 首次上电时，Tj 需要低于 140°C 才能启用 150 160 170 °C
TSHUTPPRIMARY_HYST 初级侧过热关断迟滞 15 20 25 °C
ENA 输入引脚（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
VEN_IR 输入电压上升阈值，逻辑高电平 上升沿 2.1 V
VEN_IF 输入电压下降阈值，逻辑低电平 下降沿 0.8 V
IEN 使能引脚输入电流 VEN = 5.0V 5 18 µA
POWERGOOD（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准） 
VPG_OUT_LO PG 输出低饱和电压 灌电流 = 5mA，电源正常 0.5 V
IPG_OUT_HI PG 漏电流 VPG = 5.5V，电源不正常 5 µA
初级侧控制（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
FSW 开关频率 VVIN = 12V；VENA = 5V；(VDD-VEE) = 12V 20.5 MHz
FSSM 展频调制 (SSM) 三角波形的频率 仅在初级侧启动期间，在 VIN 高于 UVLOP 且 ENA 为高电平之后启动；FSS_BURST_P = 1/8µs = 125kHz 90 kHz
FCARRIER 的 SSM 百分比变化 三角波形展频调制 (SSM) 期间载波频率的 SSM 百分比变化 仅在初级侧启动期间，在 VIN 高于 UVLOP 且 ENA 为高电平之后启动；FSS_BURST_P = 1/8µs = 125kHz 5 %
tSOFT_START_TIME_OUT 初级侧软启动超时 当 VIN 高于 UVLOP 且 ENA 为高电平时计时器开始工作，当电源正常引脚指示正常时复位 28.4 ms
VDD 输出电压（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
VVDD_RANGE (VDD-VEE) 输出电压范围 10 18 V
VVDD_DC_ACCURACY (VDD-VEE) 输出
电压直流
调节
精度

 
次级侧 (VDD-VEE) 输出电压，在负载、线性变化和温度范围内，通过外部电阻分压器进行外部调节
 		 -1.3 1.3 %
VDD 调节（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
VFBVDD_REF (VDD-VEE) 的反馈调节基准电压 (VDD-VEE) 稳压输出 2.4675 2.5 2.5325 V
COM 输出电压（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
VVEE_RANGE (COM-VEE) 输出电压范围 次级侧 (COM-VEE)，通过外部电阻分压器进行调节 2.5 (VDD – VEE) V
VVEE_DC_ACURACY
(COM-VEE)
输出电压直流
调节精度

 
次级侧 (COM-VEE)
输出电压，在负载、线性变化和温度范围内，通过外部电阻分压器
进行外部调节		 –1.3 1.3 %
COM 调节（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
VFBVEE_REF (COM-VEE) 的反馈调节基准电压 (COM-VEE) 稳压输出 2.4675 2.5 2.5325 V
VRLIM_SHORT_CHRG_CMP_RISE 用于退出 PWM 的 RLIM 短路充电比较器上升阈值 上升阈值 0.73 V
tRLIM_SHORT_CHRG_ON_TIME RLIM 引脚短路充电 PWM 模式期间的导通时间 RLIM 引脚 < 0.645V，而 FBVEE 引脚 < 2.48V 1.2 us
tRLIM_SHORT_CHRG_OFF_TIME RLIM 引脚短路充电 PWM 模式期间的关断时间 RLIM 引脚 < 0.645V，而 FBVEE 引脚 < 2.48V 5 us
VDD UVLOS 比较器（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准） 
VVDD_UVLO_RISE (VDD-VEE) 欠压锁定上升阈值 FBVDD 处的电压 0.9 V
VVDD_UVLO_HYST (VDD-VEE) 欠压锁定迟滞 FBVDD 处的电压 0.2 V
VDD OVLOS 比较器（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
VVDD_OVLOS_RISE (VDD-VEE) 过压锁定上升阈值 电压范围为 VDD 至 VEE，上升 29.45 31 32.55 V
VVDD_OVLOS_FALL (VDD-VEE) 过压锁定下降阈值 电压范围为 VDD 至 VEE，下降 27.55 29 30.45 V
软启动（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
tblankout 软启动后、PG 之前，(VDD-VEE) UVP 和 (COM-VEE) UVP 及 OVP 的消隐时间 3 ms
(VDD – VEE) UVP，欠压保护（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
VVDD_UVP_RISE (VDD-VEE) 欠压保护上升阈值，VUVP = VREF × 90% 2.175 2.25 2.3 V
VVDD_UVP_HYST (VDD-VEE) 欠压保护迟滞 25 mV
(VDD – VEE) OVP，过压保护（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
VVDD_OVP_RISE (VDD – VEE) 过压保护上升阈值，VOVP = VREF ×110% 2.7 2.75 2.825 V
VVDD_OVP_HYST (VDD-VEE) 过压保护迟滞 25 mV
(COM-VEE) UVP，欠压保护（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
VVEE_UVP_RISE (COM-VEE) 欠压保护上升阈值，VUVP = VREF × 90% 2.175 2.25 2.3 V
VVEE_UVP_HYST (COM-VEE) 欠压保护迟滞 25 mV
(COM-VEE) OVP，过压保护（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
VVEE_OVP_RISE (COM-VEE) 过压保护上升阈值，VOVP = VREF × 110% 2.7 2.75 2.825 V
VVEE_OVP_HYST (COM-VEE) 过压保护迟滞 25 mV
热关断（次级侧）
TSHUTSSECONDARY_RISE 次级侧过热关断上升阈值 首次上电时，Tj 需要低于 140oC 才能启用。 150 160 170 °C
TSHUTSSECONDARY_HYST 次级侧过热关断迟滞 15 20 25 °C
CMTI（共模瞬态抗扰度）
CMTI 共模瞬态抗扰度 以 GNDP 为基准的正 VEE 150 V/ns
以 GNDP 为基准的负 VEE -150 V/ns
集成变压器
N 变压器有效匝数比 次级侧至初级侧 1.51 -
(1) 采用最小输入电压工作之前，VVIN 需要先高于 VVIN_UVLOP_RISING