4 修订历史记录
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (June 2020)to RevisionC (September 2024)
- 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
- 在 -55ºC 至 125ºC 的环境条件下对电气特性进行了测试,将先前对 TJ 的引用更新为 TA
Go
- 更改了 VTTSNS 测试条件以显示 -5mA 测试条件并更新了限制;添加了 5mA 和 -1A 至 1A 下的 VTTSNS 测试条件和限制Go
- 将规格名称 VLDOIN-VTT/VO 澄清为 VDO,删除了注释 1Go
- 在整个温度范围内实现了 VDO (VLDOIN-VTT/VO) 的生产测试覆盖范围;对于以前附加了注释 2 的测试条件,删除了注释 2Go
- 更新了 IVOSCRL 限制以及 IVOSRCL 和 IVOSNCL 的测试条件Go
- 在整个温度范围内实现了 RDSCHRG 的生产测试覆盖范围Go
- 阐明了 VTH(PG) 的测试条件Go
- 从“电气特性”表中删除了 VDDQSNS 电压范围,因为“建议运行条件”表中包含该电压范围Go
- 将 VVTTREF 名称更新为 VVTTREF(load_reg) 并添加了新的精度规格 VVTTREFaccuracy
Go
- 阐明了 IVTTREFSRCL 和 I VTTREFSNCCL 的测试条件Go
- 在整个温度范围内对 VVINUVVIN 进行了测试Go
- 在整个温度范围内对 IENLEAK 进行了测试Go
- 删除了 TSON 的注释,注释对于典型规格是多余的Go
- 修订了对 100kΩ 上拉电阻器的引用Go
- 更新了 VDD/VIN 和 VLDOIN 的功率耗散计算Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (June 2016)to RevisionB (June 2020)
- 更改了 DLA 图编号Go
- 更改了辐射性能特性摘要Go
- 更改了支持的 DDR 终端应用的特性说明Go
- 更改了 VTTREF 精度特性Go
- 更改了支持的 DDR 应用的说明Go
- 向“器件信息”表中添加了封装重量Go
- 通篇更改了引脚名称引用,以保持一致性Go
- 添加了其他热指标Go
- 向电气特性 表中添加了 TJ 温度范围说明Go
- 更改了 VTT/VO 的模糊容差规格,明确指定了最小值/最大值范围Go
- 将 UVLO 阈值迟滞更改为其自己的表条目Go
- 更改了 VTTREF 图的命名以保持一致性Go
- 向电容器说明中添加了陶瓷以满足稳定性要求Go
- 为输出电流限值添加了正确的交叉参考Go
- 更改了措辞,以使 VIN/VDD 更加清晰Go
- 更改了注释以反映总 ESRGo
- JEDEC 规格参考Go
- 更改为改进的瞬态图和说明Go
- 对于布局散热过孔尺寸,添加了“或更小”Go
- 更改为改进的建议布局图Go