ZHCSEJ1C December   2015  – September 2024 TPS7H3301-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 VTT/VO 灌电流和拉电流稳压器
      2. 7.3.2 基准输入 (VDDQSNS)
      3. 7.3.3 基准输出 (VTTREF)
      4. 7.3.4 EN Control (EN)
      5. 7.3.5 电源正常功能 (PGOOD)
      6. 7.3.6 VTT 电流保护
      7. 7.3.7 VIN UVLO 保护
      8. 7.3.8 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VDD/VIN 电容器
        2. 8.2.2.2 VLDO 输入电容器
        3. 8.2.2.3 VTT 输出电容器
        4. 8.2.2.4 VTTSNS 连接
        5. 8.2.2.5 低 VIN 应用
        6. 8.2.2.6 S3 和伪 S5 支持
        7. 8.2.2.7 跟踪启动和关断
        8. 8.2.2.8 VTT DIMM 或模块应用的输出容差注意事项
        9. 8.2.2.9 LDO 设计指南
      3. 8.2.3 应用曲线
  10.   电源相关建议
  11. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
    3. 9.3 散热注意事项
  12. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  13.   机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

在整个温度范围内，TA = –55°C 至 125°，VDD/VIN = 3.3V 和 2.375V（VDD/VIN > VLDOIN 时），VLDOIN = 1.8V，VDDQSNS = 1.8V，VTTSNS = 0.9V，EN = VDD/VIN，标准 DDR 应用（除非另有说明）。除非另有说明，否则所有电压值都以网络接地 (AGND) 引脚为基准。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电流
IVDD/Vin 电源电流 EN = 3.3V，空载 18 30 mA
IVDD(SDN) 关断电流 EN = 0V，VDDQSNS = 0，空载 3 5 mA
EN = 0V，VDDQSNS > 0.78V，空载 6.5 8
IVLDOIN VLDOIN 的电源电流 EN = 3.3V，空载 575 1200 μA
IVLDOIN(SDN) VLDOIN 的关断电流 EN = 0V，空载 50 100 μA
输入电流
IVDDQSNS 输入电流，VDDQSNS EN = 3.3V 4 6 μA
VTT/VO 输出
VTTSNS 输出直流电压，VTT/VO IVTT = 5mA VDDQSNS = VLDOIN 2.5V (DDR1) 1.219 1.25 1.276 V
VDDQSNS = VLDOIN 1.8V (DDR2) 0.889 0.9 0.921
VDDQSNS = VLDOIN 1.5V (DDR3) 0.743 0.75 0.769
VDDQSNS = VLDOIN 1.35V (DDR3L) 0.668 0.67 0.691
VDDQSNS = VLDOIN 1.2V (DDR4) 0.593 0.6 0.617
IVTT = -5mA VDDQSNS = VLDOIN 2.5V (DDR1) 1.22 1.25 1.272 V
VDDQSNS = VLDOIN 1.8V (DDR2) 0.89 0.9 0.923
VDDQSNS = VLDOIN 1.5V (DDR3) 0.744 0.75 0.767
VDDQSNS = VLDOIN 1.35V (DDR3L) 0.669 0.675 0.691
VDDQSNS = VLDOIN 1.2V (DDR4) 0.594 0.6 0.616
-1A ≤ IVTT ≤ 1A VDDQSNS = VLDOIN 2.5V (DDR1) 1.219 1.26 1.301 V
VDDQSNS = VLDOIN 1.8V (DDR2) 0.879 0.91 0.933
VDDQSNS = VLDOIN 1.5V (DDR3) 0.734 0.76 0.781
VDDQSNS = VLDOIN 1.35V (DDR3L) 0.655 0.69 0.708
VDDQSNS = VLDOIN 1.2V (DDR4) 0.58 0.6 0.633
VDO

压降电压，

VDO = VLDOIN - VTTREF。

VDO（

VTTREF - VTT = 50mV 时记录）

 VDDQSNS = 2.5V (DDR1) IVTT = 0.5A 50 230 mV
IVTT = 1A 101 300
IVTT = 2A 209 400
VDDQSNS = 1.8V (DDR2) IVTT = 0.5A 54 230
IVTT = 1A 108 300
IVTT = 2A 228 400
VDDQSNS = 1.5V (DDR3) IVTT = 0.5A 52 230
IVTT = 1A 104 300
IVTT = 2A 216 400
VDDQSNS = 1.35V (DDR3) IVTT = 0.5A 50 230
IVTT = 1A 102 300
IVTT = 2A 212 400
VDDQSNS = 1.2V (DDR4) IVTT = 0.5A 50 230
IVTT = 1A 102 300
IVTT = 2A 210 400
VTT/VO(TOL) 输出电压相对于 VTTREF 的容差 IVTT/VO = –3A，在整个 VDD/VIN 电压范围内 12 25 34 mV
IVTT/VO = 3A，在整个 VDD/VIN 电压范围内 -34 -25 -12
IVOSRCL VTT/VO 拉电流限值 将输出从 0A 斜升至 10A，当 VTT 达到最低值时记录电流 3.25 8 A
IVOSNCL VTT/VO/VTT 灌电流限值 将输出从 0A 斜降至 -10A，当 VTT 达到最高值时记录电流 3.5 10 A
RDSCHRG 放电阻抗 VDDQSNS = 0V，VTT/VO = 0.3V，EN = 0V 18 25 Ω
电源正常比较器
VTH(PG) VTT/VO PGOOD 阈值 相对于 VVTTREF 的 PGOOD 窗口阈值下限（下降） -23.5% -20% -17.5%
相对于 VVTTREF 的 PGOOD 窗口阈值上限（上升） 17.5% 20% 23.5%
PGOOD 迟滞 5%
TPGSTUPDLY PGOOD 启动延迟 启动上升沿，VTTSNS 处于 VVTTREF 的 15% 以内 2 ms
VPGOODLOW 输出低电压 ISINK = 4mA 0.4 V
TPBADDLY PGOOD 不良延迟 VTTSNS 超出 ±20% PGOOD 窗口 1 μs
IPGOODLK 漏电流 VTTSNS = VTTREF（PGOOD 高阻抗），
PGOOD = VDD/IN + 0.2V		 1 μA
VDDQSNS 和 VTTREF 输出
VVDDQSNS_UVLO VDDQSNS 欠压锁定 VDDQSNS 上升 780 mV
VVDDQSNSUVHYS VDDQSNS 欠压锁定迟滞 20 mV
VVTTREF VTTREF 电压 VDDQSNS/2 V
VTTREF(load_reg) 负载调整率 ΔVTTREF –10mA < IVTTREF < 10mA VDDQSNS = 2.5V -15 15 mV
VDDQSNS = 1.8V -15 15
VDDQSNS = 1.5V -15 15
VDDQSNS = 1.35V -15 15
VDDQSNS = 1.2V -15 15
VTTREFaccuracy VTTREF 电压相对于 VDDQSNS 的容差 –10mA < IVTTREF < 10mA VDDQSNS = 2.5V 49% 51%
VDDQSNS = 1.8V 49% 51%
VDDQSNS = 1.5V 49% 51.25%
VDDQSNS = 1.35V 49% 51.5%
VDDQSNS = 1.2V 49% 51.5%
–3mA < IVTTREF < 3mA VDDQSNS = 1.5V 49% 51%
VDDQSNS = 1.35V 49% 51%
VDDQSNS = 1.2V 49% 51%
IVTTREFSRCL VVTTREF 拉电流限值 拉电流从 0A 斜升至 55mA。VTTREF 下降至其原始值的一半时找到。 10 40 mA
IVTTREFSNCCL VVTTREF 灌电流限值 灌电流从 0A 斜升至 16.5mA。VTTREF 达到峰值时找到。 12 15 mA
IVTTREFDIS VTTREF 放电电流 EN = 0V，VDDQSNS = 0V，VTTREF = 0.5V 1.3 mA
UVLO/EN 逻辑阈值
VVINUVVIN UVLO 阈值 唤醒 2.18 2.25 V
VVINUVVINHYS UVLO 阈值迟滞 迟滞 50 mV
VENIH 高电平输入电压 启用 1.7 V
VENIL 低电平输入电压 启用 0.3 V
VENYST 迟滞电压 启用 0.5 V
IENLEAK 逻辑输入漏电流 EN -1 1 μA
热关断
TSON 热关断阈值 关断温度 210 °C
迟滞 12