ZHCSEJ1C December   2015  – September 2024 TPS7H3301-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 VTT/VO 灌电流和拉电流稳压器
      2. 7.3.2 基准输入 (VDDQSNS)
      3. 7.3.3 基准输出 (VTTREF)
      4. 7.3.4 EN Control (EN)
      5. 7.3.5 电源正常功能 (PGOOD)
      6. 7.3.6 VTT 电流保护
      7. 7.3.7 VIN UVLO 保护
      8. 7.3.8 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VDD/VIN 电容器
        2. 8.2.2.2 VLDO 输入电容器
        3. 8.2.2.3 VTT 输出电容器
        4. 8.2.2.4 VTTSNS 连接
        5. 8.2.2.5 低 VIN 应用
        6. 8.2.2.6 S3 和伪 S5 支持
        7. 8.2.2.7 跟踪启动和关断
        8. 8.2.2.8 VTT DIMM 或模块应用的输出容差注意事项
        9. 8.2.2.9 LDO 设计指南
      3. 8.2.3 应用曲线
  10.   电源相关建议
  11. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
    3. 9.3 散热注意事项
  12. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  13.   机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

TPS7H3301-SP 是一款具有内置 VTTREF 缓冲器的 TID 和 SEE 耐辐射双倍数据速率 (DDR) 3A 终端稳压器。该稳压器专门设计用于为单板计算机、固态记录器和有效载荷处理等航天 DDR 端接应用提供完整的紧凑型低噪声解决方案。

TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的 DDR VTT 端接应用。凭借快速瞬态响应，TPS7H3301-SP VTT 稳压器可在读取/写入状态下提供非常稳定的电源。在瞬变期间，VTTREF 电源的快速跟踪功能可以更大限度地减少 VTT/Vo 和 VTTREF 之间的任何失调电压。为了实现简单的电源时序，TPS7H3301-SP 中集成了使能输入和电源正常输出 (PGOOD)。PGOOD 输出是开漏输出，因此可在所有电源进入稳压状态时将其与多个开漏输出相连来进行监控。使能信号还可用于在挂起至 RAM (S3) 断电模式期间使 VTT/Vo 放电。

器件信息(1)
器件型号(3) 等级 封装
5962R1422801VXC(2) 耐辐射等级 RHA 100krad(Si) 16 引脚 CFP
9.60mm × 11.00mm
重量：1.55g(5)
5962-1422801VXC(2) 耐辐射等级 QMLV
TPS7H3301HKR/EM 工程模块(4)
TPS7H3301EVM-CVAL 陶瓷评估板 EVM
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
(2) 有关详细信息，请参阅辐射报告。
(3) 适用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4对于 DDR，标称输入电压 = 3.3V。对于 DDR1，VIN 为 2.95 至 3.5V；对于所有 DDR，VLDOIN > VTT/VO。
对于 DDR2 3A 负载条件，VIN 为 2.45 至 3.5V。
VIN 余量：VIN_MIN ≥ VTT/VO + 1.5V。
(4) 这些器件仅适用于工程评估。按非合规性流程对其进行了处理（即未进行老化处理等操作）并且仅在 25°C 的额定温度下进行了测试。这些器件不适用于鉴定、量产、辐射测试或飞行。也不保证这些器件在 MIL 规定的 –55°C 至 125°C 完整温度范围内或运行寿命中的性能。
(5) 重量误差在 ±10% 以内。

TPS7H3301-SP 标准 DDR 应用
标准 DDR 应用