ZHCSEJ1C December   2015  – September 2024 TPS7H3301-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 VTT/VO 灌电流和拉电流稳压器
      2. 7.3.2 基准输入 (VDDQSNS)
      3. 7.3.3 基准输出 (VTTREF)
      4. 7.3.4 EN Control (EN)
      5. 7.3.5 电源正常功能 (PGOOD)
      6. 7.3.6 VTT 电流保护
      7. 7.3.7 VIN UVLO 保护
      8. 7.3.8 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VDD/VIN 电容器
        2. 8.2.2.2 VLDO 输入电容器
        3. 8.2.2.3 VTT 输出电容器
        4. 8.2.2.4 VTTSNS 连接
        5. 8.2.2.5 低 VIN 应用
        6. 8.2.2.6 S3 和伪 S5 支持
        7. 8.2.2.7 跟踪启动和关断
        8. 8.2.2.8 VTT DIMM 或模块应用的输出容差注意事项
        9. 8.2.2.9 LDO 设计指南
      3. 8.2.3 应用曲线
  10.   电源相关建议
  11. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
    3. 9.3 散热注意事项
  12. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  13.   机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.4 器件功能模式

TPS7H3301-SP 3A 灌电流和拉电流 LDO 提供低输出噪声，可满足系统需求。为了提高 LDO 的效率，TPS7H3301-SP LDO 可以由低 VLDOIN 电压轨供电，因此使用双电压源：一个用于支持高电流的 VLDOIN，另一个是用于为 VDDQSNS 引脚提供电压的备用电压源。

在某些情况下，VLDOIN 和 VDDQSNS 引脚连接在一起。在存储器系统中，VDDQ 是为内核、I/O 和存储器逻辑供电的高电流电源。VTTREF 是低电流、精密基准电压，提供了适应 I/O 电源电压变化的逻辑高电平 (1) 和逻辑低电平 (0) 之间的阈值。VTTREF 能够提供可适应电源电压的精密阈值，与具有固定阈值以及终端和驱动阻抗正常变化的器件相比，可实现更宽的噪声裕度。不同的 DDR 技术的规格各不相同。例如，DDR3 JEDEC JESD79-3F 规定 VDDQ 的 0.49 至 0.51 倍，仅消耗数十至数百微安的电流。TPS7H3301-SP VTTREF 能够灌入和拉取高达 10mA 的电流。