ZHCSRP0F February   2023  – December 2023 TPS7H1111-SEP , TPS7H1111-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件选项表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 质量合格检验
    7. 6.7 典型特性
  8. 参数测量信息
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能模块图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  辅助电源
      2. 8.3.2  输出电压配置
      3. 8.3.3  使用电压源的输出电压配置
      4. 8.3.4  启用
      5. 8.3.5  软启动和降噪
      6. 8.3.6  可配置电源正常
      7. 8.3.7  电流限值
      8. 8.3.8  稳定性
        1. 8.3.8.1 输出电容
        2. 8.3.8.2 补偿
      9. 8.3.9  均流
      10. 8.3.10 PSRR
      11. 8.3.11 噪声
      12. 8.3.12 热关断
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应用 1:使用 EN 设置导通阈值
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 辅助电源
          2. 9.2.1.2.2 输出电压配置
          3. 9.2.1.2.3 输出电压精度
          4. 9.2.1.2.4 启用阈值
          5. 9.2.1.2.5 软启动和降噪
          6. 9.2.1.2.6 可配置电源正常
          7. 9.2.1.2.7 电流限值
          8. 9.2.1.2.8 输出电容器和铁氧体磁珠
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 应用 2:并行运行
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
          1. 9.2.2.2.1 均流
        3. 9.2.2.3 应用结果
    3. 9.3 已测试的电容器
    4. 9.4 TID 效应
    5. 9.5 电源相关建议
    6. 9.6 布局
      1. 9.6.1 布局指南
      2. 9.6.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
      2. 10.1.2 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • HBL|14
  • PWP|28
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

输出电容

TPS7H1111 针对单个 220μF 钽输出电容器或两个 100μF 电容器进行了优化。建议运行条件中指定了可接受电容值、ESR 和 ESL 的完整范围。应该注意验证所选电容器是否能够满足在所有运行条件下的要求。此外,还可以包括一个 0.1μF 陶瓷电容器。将一个或多个钽电容器靠近 TPS7H1111 的输出端放置,并将陶瓷电容器放置在负载点附近。

ESR(等效串联电阻)是需要考虑的重要寄生元件,电容器的 ESR 值会随着频率的变化而变化。钽电容器的 ESR 值通常在 100kHz 下给出,建议运行条件表中的值大致对应于 100kHz 下的值。但实际上,环路交叉频率下的 ESR 是影响 TPS7H1111 控制环路稳定性的主要因素。环路交叉频率可以高于或低于 100kHz。因此,尽管可以将 ESR 值的范围视为很好的指导原则,但谨慎的做法是对稳定性进行额外验证。

另请注意,电容、ESR 和 ESL 要求适用于整个大容量电容。如果 2 个 100μF 电容器中的每一个都使用了 40mΩ ESR 和 2nH ESL,则产生的电容为 200μF,ESR 为 20mΩ,ESL 为 1nH。当考虑这些 ESR 和 ESL 要求时,不应考虑使用单个陶瓷电容器。

大于 0.1µF 的陶瓷电容器的谐振频率较低,因此通常不允许使用这种电容器。这个较低的谐振频率可能在 TPS7H1111 稳压器的环路带宽内(可能接近 10MHz)。因此,低谐振点加上低 ESR 会对环路带宽和器件稳定性产生负面影响。较低的带宽会对 PSRR 产生负面影响,因此抵消了额外陶瓷电容带来的任何潜在优势。

但是,如果必须使用高于 0.1μF 的陶瓷电容器,则建议陶瓷电容器的谐振频率要比环路带宽高一到两个数量级(。或者,可以添加额外的串联电阻以增大 ESR。这可防止出现强谐振点。

TI 测量了各种航天级电容器的增益裕度和相位裕度,以证明它们具有良好的稳定性裕度。有关更多信息,请参阅节 9.3

使用了标准大容量电容和单个 0.1μF 电容器以外的电容器时,建议对所用的电容器和完整系统进行仿真。还建议创建波特图并在实际系统上执行负载变化测试,以验证具有足够的稳定性裕度。