ZHCSRP0F February   2023  – December 2023 TPS7H1111-SEP , TPS7H1111-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件选项表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 质量合格检验
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能模块图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  辅助电源
      2. 8.3.2  输出电压配置
      3. 8.3.3  使用电压源的输出电压配置
      4. 8.3.4  启用
      5. 8.3.5  软启动和降噪
      6. 8.3.6  可配置电源正常
      7. 8.3.7  电流限值
      8. 8.3.8  稳定性
        1. 8.3.8.1 输出电容
        2. 8.3.8.2 补偿
      9. 8.3.9  均流
      10. 8.3.10 PSRR
      11. 8.3.11 噪声
      12. 8.3.12 热关断
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应用 1：使用 EN 设置导通阈值
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 辅助电源
          2. 9.2.1.2.2 输出电压配置
          3. 9.2.1.2.3 输出电压精度
          4. 9.2.1.2.4 启用阈值
          5. 9.2.1.2.5 软启动和降噪
          6. 9.2.1.2.6 可配置电源正常
          7. 9.2.1.2.7 电流限值
          8. 9.2.1.2.8 输出电容器和铁氧体磁珠
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 应用 2：并行运行
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
          1. 9.2.2.2.1 均流
        3. 9.2.2.3 应用结果
    3. 9.3 已测试的电容器
    4. 9.4 TID 效应
    5. 9.5 电源相关建议
    6. 9.6 布局
      1. 9.6.1 布局指南
      2. 9.6.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
      2. 10.1.2 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • HBL|14
  • PWP|28
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.4 TID 效应

电气特性中列出的大多数规格都使用自动测试设备 (ATE) 进行测试。因此，可在辐照前和辐照后条件下轻松测试这些规格。此外，这些规格通常是 RLAT（辐射批次验收测试）流的一部分。但是，某些规格很难在 ATE 上进行测量（例如，由于具有高增益或对寄生效应敏感），因此仅在基准特性描述期间进行测量。通常，这些规格不是在辐照后测量。

PSRR、噪声和稳定性是使用 ATE 时未涵盖的关键规格，因此不属于传统 RLAT 流。为了提供这些关键规格的额外信息，对三个 EVM 执行了一次性特性描述。在 100krad(Si) 的高剂量率 (HDR) 下偏置和暴露这三个 EVM。

所有 PSRR、噪声和稳定性测量在辐照条件下结果良好。概括如下：

  • 在 100Hz 至 1kHz 范围内，在承受 TID 后测得的 PSRR 略有降低。器件 1 显示在承受 TID 后大约降低 10dB；但由于难以测量如此高的增益，因此认为是由与设置相关的问题所致。在任何情况下，PSRR 在此范围内仍然极高 (> 95dB)。
  • 在 100Hz 以下和 1kHz 以上，在承受 TID 后测得的 PSRR 略有降低。
  • 在 10Hz 至 10kHz 范围内，测得的噪声逐渐升高。
  • 在 10Hz 以下和 100kHz 以上，噪声的测量结果大致相同。
  • 承受 TID 之后，计算出的 RMS 噪声平均高出 120nVRMS。
  • 平均相位裕度幅度漂移约为 7°。对于所有之前和之后的测量，相位裕度都保持高位。
  • 平均增益裕度幅度漂移约为 2dB。这种变化被认为很小，并且可能在测量误差范围内。

完整数据如下。除非另有说明，否则 EVM 条件为 VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，COUT = 2x100µF（请参阅表 9-4），CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS = 4.7µF，TA = 25°C，10Hz 至 100kHz 带宽下报告的积分噪声。

GUID-20230103-SS0I-SLJB-1BZQ-5RCH8GXSLD8K-low.svg图 9-6 PSRR，IOUT = 100mA
GUID-20230103-SS0I-HM1J-S2T5-HCWHQZL49ZWH-low.svg图 9-8 噪声频谱密度，
IOUT = 100mA
GUID-20230103-SS0I-WQBP-1TKM-8MD3GCCRGQBG-low.svg
辐照前：相位裕度 = 78°，增益裕度 = 24dB
辐照后：相位裕度 = 82°，增益裕度 = 23dB
图 9-10 波特图：器件 1，IOUT = 100mA
GUID-20230103-SS0I-RK7T-9FVX-Z04JCL6QT5SW-low.svg
辐照前：相位裕度 = 81°，增益裕度 = 23dB
辐照后：相位裕度 = 76°，增益裕度 = 26dB
图 9-12 波特图：器件 2，IOUT = 100mA
GUID-20230103-SS0I-Q5PR-SHZJ-48X31RWP4WVG-low.svg
辐照前：相位裕度 = 78°，增益裕度 = 24dB
辐照后：相位裕度 = 81°，增益裕度 = 21dB
图 9-14 波特图：器件 3，IOUT = 100mA
GUID-20230103-SS0I-0FBL-8M26-S7SGNMFCGXPX-low.svg图 9-7 PSRR，IOUT = 1A
GUID-20230103-SS0I-CC6T-H7FV-JKMHLF6CLDHW-low.svg图 9-9 噪声频谱密度，IOUT = 1A
GUID-20230103-SS0I-GHKR-C5WZ-HNXSMDR2G2XT-low.svg
辐照前：相位裕度 = 91°，增益裕度 = 18dB
辐照后：相位裕度 = 100°，增益裕度 = 16dB
图 9-11 波特图：器件 1，IOUT = 1A
GUID-20230103-SS0I-LZCB-4VRB-KJ6LDXRLXFNC-low.svg
辐照前：相位裕度 = 96°，增益裕度 = 17dB
辐照后：相位裕度 = 88°，增益裕度 = 19dB
图 9-13 波特图：器件 2，IOUT = 1A
GUID-20230103-SS0I-N51F-FVXM-1HQJMXJMS1GF-low.svg
辐照前：相位裕度 = 90°，增益裕度 = 18dB
辐照后：相位裕度 = 101°，增益裕度 = 15dB
图 9-15 波特图：器件 3，IOUT = 1A