ZHCSZ37 October 2025 TPS7E81
ADVANCE INFORMATION
该器件有一个内部过功率限制电路,可在内部 SOA(安全工作区)限制内限制 LDO 上的功率耗散。LDO 的 SOA 限值考虑了硅元件本身及封装中使用的引线键合的安全运行。这些限值可验证器件运行可靠,并防止器件因过热、击穿或其他损坏效应而出现故障。
LDO 上耗散的功率 (PDissip) 由 LDO 中的压降 (VIN - VOUT) 和流过 LDO 的负载电流 (IL) 定义。
功率限制电路可监测 LDO 上的压降(余量,VIN - VOUT)和流过 LDO 的输出负载电流 (IOUT)。如果 PDissip 超过定义的 SOA 限制,则功率限制电路会限制流过 LDO 的负载电流 (IOUT)。当器件处于功率限制运行状态时,不会调节输出电压。节 5.5 中捕获了满余量 (VIN - V OUT = 40V) 下支持的最大电流 (IPLIMIT) 和满负载电流下支持的最大余量 (VPHEADROOM)。
图 6-6 展示了功率限制图。