ZHCSYR3A June 2006 – August 2025 TPS73201-EP , TPS73215-EP , TPS73216-EP , TPS73218-EP , TPS73225-EP , TPS73230-EP , TPS73233-EP , TPS73250-EP
PRODUCTION DATA
7.1.2 输出噪声
一个精准带隙基准用于生成内部基准电压 VREF。这个基准是 TPS732xx-EP 内的主要噪声源，并且在基准输出 (NR) 处产生约 32μVRMS（10Hz 至 100kHz）。稳压器控制环路对基准噪声的增益补偿与对基准电压的增益补偿一致，这样稳压器的噪声电压可大约确定为：
由于 VREF 的值为 1.2V，这一相互关系减少至：
（对于没有 CNR 的情况）。
外部降噪电容器 CNR 从降噪引脚 (NR) 连接至接地时，与 NR 串联的内部 27kΩ 电阻器形成电压基准低通滤波器。CNR = 10nF 时，10Hz 至 100kHz 带宽内的总计噪声降低大约 3.2 倍，近似关系如下：
CNR = 10nF。
该降噪效应显示在“典型特性”部分的“RMS 噪声电压与 CNR 间的关系”图中。
TPS73201 可调节版本没有提供降噪引脚。不过，将一个反馈电容器 CFB 从输出连接至 FB 引脚将降低输出噪声并提升负载瞬态性能。
TPS732xx-EP 使用一个内部电荷泵来形成一个内部电源电压，此电压足以将 NMOS 导通元件的栅极驱动至高于 VOUT 的水平。此电荷泵在大约 2MHz 时生成大约 250μV 的开关噪声；然而，对于大多数 IOUT 和 COUT 的值，电荷泵噪声对于稳压器输出的影响可以忽略不计。