ZHCSKI7E September   2003  – March 2026 TPS723

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 电流限值
      2. 6.3.2 启用
      3. 6.3.3 压降电压
      4. 6.3.4 输出上拉
      5. 6.3.5 热关断
      6. 6.3.6 欠压锁定 (UVLO)
      7. 6.3.7 NR 和可编程软启动
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 器件功能模式比较
      2. 6.4.2 正常运行
      3. 6.4.3 压降运行
      4. 6.4.4 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 可调器件反馈电阻器选择
      2. 7.1.2 建议的电容器类型
      3. 7.1.3 输入和输出电容器选择
      4. 7.1.4 反向电流
      5. 7.1.5 前馈电容器 (CFF)
      6. 7.1.6 功率耗散 (PD)
      7. 7.1.7 估算结温
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
        1. 7.2.1.1 确保稳定性的电容器选择
        2. 7.2.1.2 输出噪声
        3. 7.2.1.3 电源抑制
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 最佳设计实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.3 压降电压

压降电压 (VDO) 定义为在额定输出电流 (IRATED) 下（传输晶体管完全导通），输出电压与输入电压之差 (VOUT – VIN)。IRATED 是节 5.3 表中列出的最大 IOUT。导通晶体管处于欧姆区域或三极管区域并充当开关。压降电压间接指定了一个最大输入电压，该电压小于输出电压预计保持稳定的标称编程输出电压。如果输入电压升至高于标称输出稳压电压，输出电压也会上升。

对于 CMOS 稳压器，压降电压由导通晶体管的漏源导通状态电阻 (RDS(ON)) 决定。因此，如果线性稳压器的工作电流小于额定电流，该电流的压降电压会相应地变化。以下公式用于计算器件的 RDS(ON)。

方程式 1. TPS723