ZHDS401 September   2026 TPS481HS04-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 SPI 时序要求
    7. 5.7 开关特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 驱动电容、电阻和电感负载
      2. 7.3.2 保护机制
        1. 7.3.2.1 过流保护
          1. 7.3.2.1.1 浪涌期间 - 过流保护
          2. 7.3.2.1.2 过流保护 - 稳态运行
          3. 7.3.2.1.3 可编程保险丝保护装置
          4. 7.3.2.1.4 立即关断过流保护 (IOCP)
        2. 7.3.2.2 输出禁用功能 (OUT_DIS)
        3. 7.3.2.3 热关断
        4. 7.3.2.4 电池反向
      3. 7.3.3 诊断机制
        1. 7.3.3.1 集成 ADC
        2. 7.3.3.2 模拟和数字电流检测输出
        3. 7.3.3.3 输出电压测量
        4. 7.3.3.4 MOSFET 温度测量
        5. 7.3.3.5 VBB 电压测量
        6. 7.3.3.6 VOUT 电池短路和开路负载
          1. 7.3.3.6.1 启用通道输出 (FET) 时的测量
          2. 7.3.3.6.2 在禁用通道输出的情况下进行检测
        7. 7.3.3.7 常电 (PAAT) 负载下的 VOUT 对电池短路或 FET 短路检测
      4. 7.3.4 故障指示 (FLT / WAKE)
      5. 7.3.5 SPI 模式运行
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 状态图
      2. 7.4.2 断电
      3. 7.4.3 SLEEP
      4. 7.4.4 低功耗模式 (LPM)
      5. 7.4.5 CONFIG 模式或 ACTIVE 模式
      6. 7.4.6 LIMPHOME 模式
    5. 7.5 TPS481HS04-Q1 预量产器件限制
      1. 7.5.1 SDO 引脚三态分立式解决方法(仅适用于并行 SPI 配置,不适用于菊花链)
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 TPS481HS04-Q1 寄存器
    2. 8.2 EEPROM (NVM) 概述
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息
    2. 12.2 机械数据

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RBL|21
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

EEPROM (NVM) 概述

TPS48xHSxx-Q1 能够为某些配置寄存器和一些客户定义的可编程寄存器提供用户可编程的电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)。这使用户能够对这些寄存器的默认值重新编程。下面的表格展示了可以通过 EEPROM 编程程序对哪些寄存器进行编程。

表 8-30 寄存器概述
偏移寄存器名称EEPROM 用户可编程
00hDEV_IDN
01hSLEEPN
02hLPMN
03hFAULT_GLOBALN
04hFAULT_MASKY
05h

BIST_RESULT_CH1

N
06hSW_STATEN
07h

DEVICE_TEST_CH1

N
08hDEV_CONFIGY
09hADC_CONFIGN
0AhADC_RESULT_VBBN
0BhADC_RESULT_BISTN
0ChFLT_STAT_CH1N
0DhPWM_CH1

Y

0EhILIM_CONFIG_CH1Y
0FhDIAG_CONFIG_CH1Y
10hADC_RESULT_CH1_IN
11hADC_RESULT_CH1_TN
12hADC_RESULT_CH1_VN
14hI2T_CONFIG_CH1Y

1Eh

I2T_TRIP_CH1

Y

1Fh

I2T_ACC_RD_CH1

N

35h

IOCP_CONFIG_CH1

Y

37h

UV_CONFIG

Y

3Dh

DEV_CONFIG_2

Y

3Fh

EEPROM_PROGRAM_CONTROL_STATUS

Y

EEPROM 编程程序

可通过以下程序对用户可编程寄存器的默认值进行重新编程。若要正确地对 EEPROM 重新编程,需要满足以下条件

  • VBB 电压 ≥ 6V,以器件 GND 为基准
  • VDD 电压 > VDD_UVLO,以器件 GND 为基准

图片展示了对默认值进行编程的程序。

TPS481HS04-Q1 EEPROM 重新编程程序图 8-1 EEPROM 重新编程程序