ZHDS401 September   2026 TPS481HS04-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 SPI 时序要求
    7. 5.7 开关特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 驱动电容、电阻和电感负载
      2. 7.3.2 保护机制
        1. 7.3.2.1 过流保护
          1. 7.3.2.1.1 浪涌期间 - 过流保护
          2. 7.3.2.1.2 过流保护 - 稳态运行
          3. 7.3.2.1.3 可编程保险丝保护装置
          4. 7.3.2.1.4 立即关断过流保护 (IOCP)
        2. 7.3.2.2 输出禁用功能 (OUT_DIS)
        3. 7.3.2.3 热关断
        4. 7.3.2.4 电池反向
      3. 7.3.3 诊断机制
        1. 7.3.3.1 集成 ADC
        2. 7.3.3.2 模拟和数字电流检测输出
        3. 7.3.3.3 输出电压测量
        4. 7.3.3.4 MOSFET 温度测量
        5. 7.3.3.5 VBB 电压测量
        6. 7.3.3.6 VOUT 电池短路和开路负载
          1. 7.3.3.6.1 启用通道输出 (FET) 时的测量
          2. 7.3.3.6.2 在禁用通道输出的情况下进行检测
        7. 7.3.3.7 常电 (PAAT) 负载下的 VOUT 对电池短路或 FET 短路检测
      4. 7.3.4 故障指示 (FLT / WAKE)
      5. 7.3.5 SPI 模式运行
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 状态图
      2. 7.4.2 断电
      3. 7.4.3 SLEEP
      4. 7.4.4 低功耗模式 (LPM)
      5. 7.4.5 CONFIG 模式或 ACTIVE 模式
      6. 7.4.6 LIMPHOME 模式
    5. 7.5 TPS481HS04-Q1 预量产器件限制
      1. 7.5.1 SDO 引脚三态分立式解决方法（仅适用于并行 SPI 配置，不适用于菊花链）
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 TPS481HS04-Q1 寄存器
    2. 8.2 EEPROM (NVM) 概述
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息
    2. 12.2 机械数据

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RBL|21
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.4.1 布局指南

为了获得出色的热性能，请将外露热焊盘（连接到 VBB 引脚）连接到大面积破碎覆铜。在顶部 PCB 层，覆铜可以延伸至封装尺寸之外，如下例所示。除此之外，TI 建议还在某个内部 PCB 层或底层上布置一个 VBB 平面。

过孔必须将此平面连接到顶部 VBB 覆铜。TI 建议将连接到控制器的 IO 引脚布线到过孔，然后穿过内部或底部 PCB 层。