ZHCSW48 July 2025 TPS2HC08-Q1
ADVANCE INFORMATION
为了获得良好的热性能,请将 VBB 焊盘连接到大面积覆铜。在顶部 PCB 层,覆铜可能超出封装尺寸,如下面的布局示例所示。除此之外,建议在一个或多个内部 PCB 层和/或底层上布置一个 VBB 平面。过孔必须将这些平面连接到顶部 VBB 覆铜。将 VOUT1 和 VOUT2 焊盘连接到电路板上的大面积覆铜还有助于实现更好的热性能,因为热量可以通过内部铜柱传递到电路板上的大面积覆铜。
TI 建议将连接到微控制器的 IO 信号布线到过孔,然后穿过内部 PCB 层。
如果在设计中使用 CIC 电容器,则必须将其尽可能靠近器件的 VBB 和 GND 引脚。如果使用接地网络进行电池反向保护,则 C IC 电容器必须从 VBB 网络连接到 IC_GND 网络。CVBB 电容器必须靠近 VBB 引脚放置,并连接到系统接地端以获得出色的性能。
RLIM 元件必须放置在靠近器件的 ILIM 和 GND 引脚的位置。如果使用接地网络进行电池反向保护,则 RLIM 必须从 ILIM 引脚连接到 IC_GND 网络,以获得出色的电流限制性能。