ZHCS610D December   2011  – December 2021 TPS28225-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Undervoltage Lockout (UVLO)
      2. 7.3.2 Output Active Low
      3. 7.3.3 Enable/Power Good
      4. 7.3.4 3-State Input
      5. 7.3.5 Bootstrap Diode
      6. 7.3.6 Upper and Lower Gate Drivers
      7. 7.3.7 Dead-Time Control
      8. 7.3.8 Thermal Shutdown
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Switching the MOSFETs
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11Device and Documentation Support
    1. 11.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 Documentation Support
      1. 11.2.1 Related Documentation
    3. 11.3 Receiving Notification of Documentation Updates
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 Trademarks
    6. 11.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 11.7 术语表
  12. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

TPS28225-Q1 是一款高速驱动器，用于驱动具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。此驱动器经过优化，适用于多种高电流、单相和多相直流/直流转换器。TPS28225-Q1 是一个提供高效率、小尺寸、低 EMI 发射的解决方案。

TPS28225-Q1 器件具有高性能特性，例如 8.8V 栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 广播延迟以及高电流（2A 拉电流和 4A 灌电流）驱动能力。较低栅极驱动器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的栅极低于它的阈值并确保在dV/dt相位结点转换中不会产生击穿电压。由内部二极管充电的自举电容器支持在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。

TPS28225-Q1 采用经济型 SOIC-8 封装和耐热增强型小尺寸 VSON 封装。此驱动器的额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C，绝对最大结温为 150°C。

器件信息(1)
器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
TPS28225-Q1 SOIC (8) 5.00mm x 6.20mm
VSON (8) 3.00mm × 3.00mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
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