ZHDS157A March   2026  – July 2026 TPS25730A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
      1. 6.1.1 TPS25730AD 和 TPS25730AS – 绝对最大额定值
      2. 6.1.2 TPS25730AD ­— 绝对最大额定值
      3. 6.1.3 TPS25730AS – 绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
      1. 6.3.1 TPS25730AD — 建议运行条件
      2. 6.3.2 TPS25730AS - 建议运行条件
    4. 6.4  推荐电容
    5. 6.5  热性能信息
      1. 6.5.1 TPS25730AD — 热性能信息
      2. 6.5.2 TPS25730AS 热性能信息
    6. 6.6  电源特性
    7. 6.7  功耗
    8. 6.8  PPHV 电源开关特性 — TPS25730AD
    9. 6.9  PP_EXT 特性 - TPS25730AS
    10. 6.10 电源路径监控
    11. 6.11 CC 电缆检测参数
    12. 6.12 CC PHY 参数
    13. 6.13 热关断特性
    14. 6.14 ADC 特性
    15. 6.15 输入/输出 (I/O) 特性
    16. 6.16 I2C 要求和特性
    17. 6.17 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  USB-PD 物理层
        1. 8.3.1.1 USB-PD 编码和信令
        2. 8.3.1.2 USB-PD 双相标记编码
        3. 8.3.1.3 USB-PD BMC 发送器
        4. 8.3.1.4 USB-PD BMC 接收器
        5. 8.3.1.5 静噪接收器
      2. 8.3.2  电源管理
        1. 8.3.2.1 上电和监控功能
        2. 8.3.2.2 VBUS LDO
      3. 8.3.3  电源路径
        1. 8.3.3.1 TPS25730AD 内部 Powerpath
        2. 8.3.3.2 外部电源路径控制 PP_EXT
      4. 8.3.4  电缆插拔和方向检测
      5. 8.3.5  过压保护（CC1，CC2）
      6. 8.3.6  默认行为配置 (ADCINx)
      7. 8.3.7  ADC
      8. 8.3.8  数字接口
        1. 8.3.8.1 GPIO
        2. 8.3.8.2 I2C 接口
          1. 8.3.8.2.1 I2C 接口说明
            1. 8.3.8.2.1.1 I2C 时钟延展
            2. 8.3.8.2.1.2 唯一地址接口
            3. 8.3.8.2.1.3 通过搭接引脚配置默认行为
      9. 8.3.9  数字内核
      10. 8.3.10 最小电压配置
      11. 8.3.11 最大电压配置
      12. 8.3.12 灌电流配置
      13. 8.3.13 自动协商受电最小功率
      14. 8.3.14 扩展受电方能力电力输送功率
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 电源状态
      2. 8.4.2 肖特基器件可提供电流浪涌保护
      3. 8.4.3 热关断
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 3.3V 电源
        1. 9.3.1.1 VIN_3V3 输入开关
      2. 9.3.2 1.5V 电源
      3. 9.3.3 建议的电源负载电容
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 TPS25730AD — 布局
        1. 9.4.1.1 布局指南
          1. 9.4.1.1.1 元件顶部放置、底部放置和布局
        2. 9.4.1.2 布局示例
        3. 9.4.1.3 元件放置
        4. 9.4.1.4 VBUS、VIN_3V3、LDO_3V3、LDO_1V5 布线
        5. 9.4.1.5 CC 和 GPIO 布线
      2. 9.4.2 TPS25730AS — 布局
        1. 9.4.2.1 布局指南
          1. 9.4.2.1.1 元件顶部放置、底部放置和布局
        2. 9.4.2.2 布局示例
        3. 9.4.2.3 元件放置
        4. 9.4.2.4 VBUS、PPHV、VIN_3V3、LDO_3V3、LDO_1V5 布线
        5. 9.4.2.5 CC 和 GPIO 布线
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.3.1 TPS25730AD 内部 Powerpath

TPS25730AD 对内部 FET（GATE_VSYS 和 GATE_VBUS，如内部 Powerpath 中所示）具有内部控制功能，这些 FET 要求 VBUS_IN 在启用 Powerpath 之前高于 VVBUS_UVLO。内部 Powerpath 显示了 Powerpath 的图表。当 Powerpath 启用后，该电路包括一个转换率控制环路，以确保外部开关不会过快导通 (SS)。TPS25730AD 会检测 PPHV 和 VBUS 电压以控制栅极电压，从而启用或禁用 FET。

Powerpath 控制包括过压保护 (OVP) 和反向电流保护 (RCP)。

TPS25730A 内部 Powerpath 图 8-12 内部 Powerpath