ZHDS157 March   2026 TPS25730A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
      1. 6.1.1 TPS25730AD 和 TPS25730AS — 绝对最大额定值
      2. 6.1.2 TPS25730AD ­— 绝对最大额定值
      3. 6.1.3 TPS25730AS — 绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
      1. 6.3.1 TPS25730AD — 建议运行条件
      2. 6.3.2 TPS25730A S — 建议运行条件
    4. 6.4  推荐电容
    5. 6.5  热性能信息
      1. 6.5.1 TPS25730AD — 热性能信息
      2. 6.5.2 热性能信息
    6. 6.6  电源特性
    7. 6.7  功耗
    8. 6.8  PPHV 电源开关特性 — TPS25730AD
    9. 6.9  PP_EXT 特性 — TPS25730A S
    10. 6.10 电源路径监控
    11. 6.11 CC 电缆检测参数
    12. 6.12 CC PHY 参数
    13. 6.13 热关断特性
    14. 6.14 ADC 特性
    15. 6.15 输入/输出 (I/O) 特性
    16. 6.16 I2C 要求和特性
    17. 6.17 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  USB-PD 物理层
        1. 8.3.1.1 USB-PD 编码和信令
        2. 8.3.1.2 USB-PD 双相标记编码
        3. 8.3.1.3 USB-PD BMC 发送器
        4. 8.3.1.4 USB-PD BMC 接收器
        5. 8.3.1.5 静噪接收器
      2. 8.3.2  电源管理
        1. 8.3.2.1 上电和监控功能
        2. 8.3.2.2 VBUS LDO
      3. 8.3.3  电源路径
        1. 8.3.3.1 TPS25730AD 内部灌电流路径
        2. 8.3.3.2 外部受电路径控制 PP_EXT
      4. 8.3.4  电缆插拔和方向检测
      5. 8.3.5  过压保护（CC1，CC2）
      6. 8.3.6  默认行为配置 (ADCINx)
      7. 8.3.7  ADC
      8. 8.3.8  数字接口
        1. 8.3.8.1 GPIO
        2. 8.3.8.2 I2C 接口
          1. 8.3.8.2.1 I2C 接口说明
            1. 8.3.8.2.1.1 I2C 时钟延展
            2. 8.3.8.2.1.2 唯一地址接口
            3. 8.3.8.2.1.3 通过搭接引脚配置默认行为
      9. 8.3.9  数字内核
      10. 8.3.10 最小电压配置
      11. 8.3.11 最大电压配置
      12. 8.3.12 灌电流配置
      13. 8.3.13 自动协商受电最小功率
      14. 8.3.14 扩展受电方能力电力输送功率
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 电源状态
      2. 8.4.2 肖特基器件可提供电流浪涌保护
      3. 8.4.3 热关断
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 3.3V 电源
        1. 9.3.1.1 VIN_3V3 输入开关
      2. 9.3.2 1.5V 电源
      3. 9.3.3 建议的电源负载电容
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 TPS25730AD — 布局
        1. 9.4.1.1 布局指南
          1. 9.4.1.1.1 元件顶部放置、底部放置和布局
        2. 9.4.1.2 布局示例
        3. 9.4.1.3 元件放置
        4. 9.4.1.4 VBUS、VIN_3V3、LDO_3V3、LDO_1V5 布线
        5. 9.4.1.5 CC 和 GPIO 布线
      2. 9.4.2 TPS25730AS — 布局
        1. 9.4.2.1 布局指南
          1. 9.4.2.1.1 元件顶部放置、底部放置和布局
        2. 9.4.2.2 布局示例
        3. 9.4.2.3 元件放置
        4. 9.4.2.4 VBUS、PPHV、VIN_3V3、LDO_3V3、LDO_1V5 布线
        5. 9.4.2.5 CC 和 GPIO 布线
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.4.1.4 VBUS、VIN_3V3、LDO_3V3、LDO_1V5 布线

在顶部，为 VBUS、VBUS_IN 和 PPHV 覆铜。使用至少 6 个直径为 8mil 的孔和 16mil 的过孔将 VBUS 从顶层连接到底层。有关建议的过孔尺寸，请参阅图 9-10。对于 VBUS_IN 和 PPHV，使用 15 个直径为 8mil 的孔和 16mil 的过孔从顶层连接到底层。图 9-11 中突出显示了过孔布置和覆铜。

TPS25730A 建议的最小过孔尺寸图 9-10 建议的最小过孔尺寸
TPS25730A VBUS、VBUS_IN 和 PPHV 覆铜和过孔布置图 9-11 VBUS、VBUS_IN 和 PPHV 覆铜和过孔布置

接下来，VIN_3V3、LDO_3V3 和 LDO_1V5 布线到各自的去耦电容器。此外，在底部增加了一层覆铜，以将 PPHV 连接到其位于 PCB 底部的去耦电容器。此操作在图 9-12 中突出显示。

TPS25730A VIN_3V3、LDO_3V3 和 LDO_1V5 布线图 9-12 VIN_3V3、LDO_3V3 和 LDO_1V5 布线