ZHCSX21A September   2024  – July 2025 TPLD801

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 电源电流特性
    7. 5.7 开关特性
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 I/O 引脚
        1. 7.3.1.1 输入模式
        2. 7.3.1.2 输出模式
        3. 7.3.1.3 上拉或下拉电阻器：
      2. 7.3.2 连接多路复用器
      3. 7.3.3 可配置使用逻辑块
        1. 7.3.3.1 2 位 LUT 宏单元
        2. 7.3.3.2 3 位 LUT 宏单元
        3. 7.3.3.3 2 位 LUT 或 D 型触发器/锁存器宏单元
        4. 7.3.3.4 具有设置/复位宏单元的 3 位 LUT 或 D 型触发器/锁存器
        5. 7.3.3.5 3 位 LUT 或管道延迟宏单元
        6. 7.3.3.6 4 位 LUT 或 8 位计数器/延迟宏单元
      4. 7.3.4 8 位计数器和延迟发生器 (CNT/DLY)
        1. 7.3.4.1 延迟模式
        2. 7.3.4.2 边沿检测器模式
        3. 7.3.4.3 复位计数器模式
      5. 7.3.5 可编程抗尖峰脉冲滤波器或边沿检测器宏单元
      6. 7.3.6 可选频率振荡器
        1. 7.3.6.1 振荡器电源模式
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 上电复位
        1. 7.4.1.1 GPIO 快速充电
        2. 7.4.1.2 初始化
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
        1. 8.2.1.1 电源注意事项
        2. 8.2.1.2 输入注意事项
        3. 8.2.1.3 输出注意事项
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数 测试条件 VCC 最小值 典型值 最大值 单位
电源和上电复位
VPORR 上电复位电压，VCC 上升 VI = VCC 或 GND，IO = 0 1.65V 至 5.5V 1.04 1.30 1.50 V
VPORF 上电复位电压，VCC 下降 VI = VCC 或 GND，IO = 0 1.65V 至 5.5V 0.98 1.25 1.33 V
tSU 启动时间 从 VCC 上升至超过 VPORR 1.65V 至 5.5V 170 µs
VPP 编程电压 1.65V 至 5.5V 7.5 8 V
数字 IO
VT+ 正向输入阈值电压 具有施密特触发的逻辑输入 1.8V ± 0.15V 0.92 1.29 V
3.3V ± 0.3V 1.55 2.17
5V ± 0.5V 2.21 3.19
VT- 负向输入阈值电压 具有施密特触发的逻辑输入 1.8V ± 0.15V 0.56 0.96 V
3.3V ± 0.3V 1.10 1.79
5V ± 0.5V 1.63 2.70
VHYS 施密特触发迟滞 (VT+ − VT−) 具有施密特触发的逻辑输入 1.8V ± 0.15V 0.23 0.49 V
3.3V ± 0.3V 0.33 0.54
5V ± 0.5V 0.42 0.66
VOH 高电平输出电压 推挽 1X 或开漏 PMOS 1X IOH = -100µA 1.8V ± 0.15V 1.62 V
推挽 2X 或开漏 PMOS 2X 1.63
推挽 1X 或开漏 PMOS 1X IOH = -3mA 3.3V ± 0.3V 2.60 V
推挽 2X 或开漏 PMOS 2X 2.75
推挽 1X 或开漏 PMOS 1X IOH = -5mA 5V ± 0.5V 3.99 V
推挽 2X 或开漏 PMOS 2X 4.16
VOL 低电平输出电压 推挽 1X IOL = 100µA 1.8V ± 0.15V 0.01 V
推挽 2X 0.01
开漏 NMOS 1X 0.01
开漏 NMOS 2X 0.01
推挽 1X IOL = 3mA 3.3V ± 0.3V 0.12 V
推挽 2X 0.08
开漏 NMOS 1X 0.12
开漏 NMOS 2X 0.08
推挽 1X IOL = 5mA 5V ± 0.5V 0.14 V
推挽 2X 0.10
开漏 NMOS 1X 0.14
开漏 NMOS 2X 0.10
II 输入漏电流 所有引脚 VI = VCC 1.65V 至 5.5V ±1 µA
VI = GND 1.65V 至 5.5V ±1
IOZ 关闭状态（高阻态）输出电流 IO3 VO = 0 至 5.5V 0.06 µA
FOUT 最大输出频率(1) 推挽 1X 或推挽 2X CL = 15pF 1.8V ± 0.15V 5 MHz
3.3V ± 0.3V 12
5V ± 0.5V 12
Rpu(int) 内部上拉电阻 1 MΩ
100 kΩ
10 kΩ
Rpd(int) 内部下拉电阻 1 MΩ
100 kΩ
10 kΩ
Rpd(int)_GPI 内部下拉电阻 (IN0) 1 MΩ
100 kΩ
20 kΩ
CI 输入引脚电容 每个输入引脚 VI = VCC 或 GND 1.65V 至 5.5V 3.2 pF
CIO 输入-输出引脚电容 每个 I/O 引脚 VIO = VCC 或 GND 1.65V 至 5.5V 4.0 pF
(1) 开漏开关性能将受到使用的上拉电阻器的限制