ZHCSR23A september   2022  – may 2023 TMP1827

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 说明（续）
  7. 6 器件比较
  8. 7 引脚配置和功能
  9. 8 规格
    1. 8.1  绝对最大额定值
    2. 8.2  ESD 等级
    3. 8.3  建议运行条件
    4. 8.4  热性能信息
    5. 8.5  电气特性
    6. 8.6  1-Wire 接口时序
    7. 8.7  安全引擎特征
    8. 8.8  EEPROM 特性
    9. 8.9  时序图
    10. 8.10 典型特性
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1  上电
      2. 9.3.2  电源模式开关
      3. 9.3.3  总线上拉电阻器
      4. 9.3.4  温度结果
      5. 9.3.5  温度偏移
      6. 9.3.6  温度警报
      7. 9.3.7  标准器件地址
        1. 9.3.7.1 唯一 64 位器件地址和 ID
      8. 9.3.8  灵活器件地址
        1. 9.3.8.1 非易失性短地址
        2. 9.3.8.2 IO 硬件地址
        3. 9.3.8.3 电阻地址
        4. 9.3.8.4 合并的 IO 和电阻地址
      9. 9.3.9  CRC 生成
      10. 9.3.10 功能寄存器映射
      11. 9.3.11 用户存储器映射
      12. 9.3.12 SHA-256-HMAC 认证模块
      13. 9.3.13 位通信
        1. 9.3.13.1 主机写入，器件读取
        2. 9.3.13.2 主机读取，器件写入
      14. 9.3.14 总线速度
      15. 9.3.15 NIST 可追溯性
    4. 9.4 器件功能模式
      1. 9.4.1 转换模式
        1. 9.4.1.1 基本单次转换模式
        2. 9.4.1.2 自动转换模式
        3. 9.4.1.3 堆叠式转换模式
        4. 9.4.1.4 连续转换模式
      2. 9.4.2 警报功能
        1. 9.4.2.1 警报模式
        2. 9.4.2.2 比较器模式
      3. 9.4.3 1-Wire 接口通信
        1. 9.4.3.1 总线复位相
        2. 9.4.3.2 地址相
          1. 9.4.3.2.1 READADDR (33h)
          2. 9.4.3.2.2 MATCHADDR (55h)
          3. 9.4.3.2.3 SEARCHADDR (F0h)
          4. 9.4.3.2.4 ALERTSEARCH (ECh)
          5. 9.4.3.2.5 SKIPADDR (CCh)
          6. 9.4.3.2.6 OVD SKIPADDR (3Ch)
          7. 9.4.3.2.7 OVD MATCHADDR (69h)
          8. 9.4.3.2.8 FLEXADDR (0Fh)
        3. 9.4.3.3 功能相
          1. 9.4.3.3.1  CONVERTTEMP (44h)
          2. 9.4.3.3.2  WRITE SCRATCHPAD-1 (4Eh)
          3. 9.4.3.3.3  READ SCRATCHPAD-1 (BEh)
          4. 9.4.3.3.4  COPY SCRATCHPAD-1 (48h)
          5. 9.4.3.3.5  WRITE SCRATCHPAD-2 (0Fh)
          6. 9.4.3.3.6  READ SCRATCHPAD-2 (AAh)
          7. 9.4.3.3.7  COPY SCRATCHPAD-2 (55h)
          8. 9.4.3.3.8  READ EEPROM (F0h)
          9. 9.4.3.3.9  GPIO WRITE (A5h)
          10. 9.4.3.3.10 GPIO READ (F5h)
      4. 9.4.4 NVM 运营
        1. 9.4.4.1 对用户数据编程
        2. 9.4.4.2 寄存器和存储器保护
          1. 9.4.4.2.1 暂存区 1 寄存器保护
          2. 9.4.4.2.2 用户存储器保护
    5. 9.5 编程
      1. 9.5.1 单器件温度转换和读取
      2. 9.5.2 多器件温度转换和读取
      3. 9.5.3 寄存器暂存区 1 更新和提交
      4. 9.5.4 单器件 EEPROM 编程和验证
      5. 9.5.5 单器件 EEPROM 页面锁定操作
      6. 9.5.6 多器件 IO 读取
      7. 9.5.7 多器件 IO 写入
    6. 9.6 寄存器映射
      1. 9.6.1  温度结果 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 00h) [复位 = 00h]
      2. 9.6.2  温度结果 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 01h) [复位 = 00h]
      3. 9.6.3  状态寄存器（暂存-1 偏移 = 02h) [复位 = 3Ch]
      4. 9.6.4  器件配置-1 寄存器（暂存-1 偏移 = 04h) [复位 = 70h]
      5. 9.6.5  器件配置-2 寄存器（暂存-1 偏移 = 05h) [复位 = 80h]
      6. 9.6.6  短地址寄存器（暂存-1 偏移 = 06h) [复位 = 00h]
      7. 9.6.7  温度警报低 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 08h) [复位 = 00h]
      8. 9.6.8  温度警报低 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 09h) [复位 = 00h]
      9. 9.6.9  温度警报高 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Ah) [复位 = F0h]
      10. 9.6.10 温度警报高 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Bh) [复位 = 07h]
      11. 9.6.11 温度偏移 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Ch) [复位 = 00h]
      12. 9.6.12 温度偏移 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Dh) [复位 = 00h]
      13. 9.6.13 IO 读取寄存器 [复位 = F0h]
      14. 9.6.14 IO 配置寄存器 [复位 = 00h]
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 总线供电应用
        1. 10.2.1.1 设计要求
        2. 10.2.1.2 详细设计过程
      2. 10.2.2 电源供电类应用
        1. 10.2.2.1 设计要求
        2. 10.2.2.2 详细设计过程
      3. 10.2.3 UART 通信接口
        1. 10.2.3.1 设计要求
        2. 10.2.3.2 详细设计过程
    3. 10.3 电源相关建议
    4. 10.4 布局
      1. 10.4.1 布局指南
      2. 10.4.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.5 电气特性

在自然通风条件下的温度范围内且 VDD = 1.7V 至 5.5V 时测得（除非另有说明）；典型值规格条件：TA = 25°C 且 VDD = 3.3V（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
温度传感器
TERR 温度精度 (TMP1827)  10°C 至 45°C ±0.1 ±0.2 °C
-40°C 至 105°C ±0.3 °C
-55°C 至 150°C ±0.4 °C
温度精度 (TMP1827N) -55°C 至 150°C ±0.1 ±0.9 °C
PSR 直流电源灵敏度 ±0.03 °C/V
TRES 温度分辨率（高精度格式） 包括符号位 16 位
LSB 7.8125 m°C
TREPEAT 可重复性(1) 启用平均值计算，转换时间 = 5.5ms，16 位模式，
1Hz 转换率，300 次采集		 ±2 LSB
TLTD 长期稳定性和漂移 150°C 时 1000 小时(2) 0.0625 °C
THYST 温度循环和迟滞 TSTART = -40°C
TFINISH = 150°C
TTEST = 25°C
3 个周期		 4 LSB
tRESP_L 响应时间（搅拌液体）
NGR 封装		 单层柔性 PCB τ = 63%
25°C 至 75°C		 0.77 s
2 层 62mil 刚性 PCB 1.91 s
tACT 有效转换时间（无平均值计算） CONV_TIME_SEL = 0 (图 9-12) 2.54 3 3.37 ms
CONV_TIME_SEL = 1 4.69 5.5 6.12 ms
tDELAY 温度转换的启动延迟 100 300 µs
SDQ 数字输入/输出
CIN SDQ 引脚电容 40 pF
VIL 输入逻辑低电平(3) -0.3 0.2 × VS V
VIH 输入逻辑高电平(3) 0.8 × VS VS + 0.3 V
VHYST Hysteresis 0.3 V
VOL 输出低电平 IOL = –4mA 0.4 V
IO 特性
CIN 输入电容 10 pF
VIL 输入逻辑低电平(3) -0.3 0.3 × VS V
VIH 输入逻辑高电平(3) 0.7 × VS VS + 0.3 V
IIN 输入漏电流 0 ±0.12 µA
VOL 输出低电平 IOL = –3mA 0.4 V
电阻器地址解码器特性
CLOAD ADDR 引脚上的负载电容（包括 PCB 寄生效应） 100 pF
RADDR 电阻器范围 6.49 54.9 kΩ
RADDR 电阻器容差 TA = 25°C -1.0 1.0 %
RADDR 电阻器温度系数 –100 100 ppm/°C
RADDR 电阻器寿命漂移 -0.2 0.2 %
tRESDET 电阻器解码时间 2.8 ms
电源
IPU 上拉电流(5) 总线供电模式，串行总线空闲 400
μA
IDD_ACTIVE 温度转换期间的电源电流 温度转换，串行总线空闲 94 154 μA
IDD_SB 待机电流(4) VDD 供电，串行总线处于无效状态，连续转换模式 TA = -55°C 至 85°C 1.6 4.2 μA
TA=-55°C 至 150°C 24
IDD_SD 关断电流 串行总线处于无效状态，单次转换模式 TA = -55°C 至 85°C 1.3 3.3 μA
TA=-55°C 至 150°C 23.2
VPOR 上电复位阈值电压 电源上升 (图 8-4, 图 8-5) 1.5 V
欠压检测 电源下降 1.3 V
tINIT POR 初始化时间 上电后器件复位所需的时间 (图 8-4, 图 8-5) 2.0 ms
(1) 可重复性是指在相同条件下连续进行温度测量时重现读数的能力。参阅图 8-11
(2) 在 150°C 结温下进行加速使用寿命测试可确定长期稳定性。
(3) 在总线供电模式下，VS = VPUR。在电源供电模式下，VS = VDD。
(4) 转换之间的静态电流。
(5) 需要使用上拉电流参数来调整总线上拉电阻的大小（请参阅节 9.3.3），以便进行有效温度转换或 EEPROM 读取和编程或身份验证操作。