ZHCSW76 June   2026 TMCS1170

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 绝缘规格
    6. 6.6 电气特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 精度参数
      1. 7.1.1 灵敏度误差
      2. 7.1.2 偏移量误差
      3. 7.1.3 非线性误差
      4. 7.1.4 电源抑制比
      5. 7.1.5 共模抑制比
      6. 7.1.6 外部磁场误差
    2. 7.2 瞬态响应参数
      1. 7.2.1 CMTI，共模瞬态抗扰度
    3. 7.3 安全工作区
      1. 7.3.1 持续直流或正弦交流电流
      2. 7.3.2 重复脉冲电流 SOA
      3. 7.3.3 单粒子电流能力
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电流输入
      2. 8.3.2 输入隔离
      3. 8.3.3 环境磁场抑制
      4. 8.3.4 内部基准电压
      5. 8.3.5 电流检测可测量范围
      6. 8.3.6 过流检测
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 断电行为
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 开发支持
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1.     封装选项附录
    2. 12.1 卷带包装信息
    3. 12.2 机械数据

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • VAP|12
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6 电气特性

TA = 25°C，TMCS1170AxFand TMCS1170CxF 上的 VS = 5V，TMCS1170BxF 上的 VS = 3.3V（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
RIN 输入导体电阻 IN+ 至 IN- 0.6 mΩ
RIN 输入导体电阻温度漂移 TA= -40ºC 至 +125ºC 1.9 μΩ/°C
IIN,MAX 最大连续输入电流(1) TA = 25ºC 60 ARMS
TA = 125ºC 35
输出
S 灵敏度 TMCS1170x1x 26.4 mV/A
TMCS1170x2x 40
TMCS1170x3x 44
TMCS1170x4x 66
TMCS1170x5x 80
TMCS1170x9x 90
TMCS1170x6x 100
TMCS1170x7x 132
TMCS1170x8x 200
eS 灵敏度误差 0.05V ≤ VOUT ≤ VS − 0.2V ±1 %
S漂移 灵敏度误差随温度的变化情况 0.05V ≤ VOUT ≤ VS − 0.2V，TA = 25°C 至 125°C ±1 ±2.85 %
0.05V ≤ VOUT ≤ VS − 0.2V，TA = −40°C 至 25°C ±2.2 %
Sdrift, life 灵敏度寿命漂移 0.05V ≤ VOUT ≤ VS − 0.2V ±0.6 ±3 %
eNL 非线性误差 VOUT = 0.1V 至 VS - 0.1V ±0.1 %
VOUT,0A 零电流输出电压 TMCS1170AxF，IIN = 0A，双向，VS = 5.0V 2.5 V
TMCS1170BxF，IIN = 0A，双向，VS = 3.3V 1.65
TMCS1170CxF，IIN = 0A，单向  0.5
VOE 输出电压失调误差  TMCS1170xxF，VOUT,0A，IIN = 0A ±4 ±12 mV
TMCS1170xxF，VOUT,0A，IIN = 0A，TA = 25°C 至 125°C ±6 ±15 mV
TMCS1170xxF，VOUT,0A，IIN = 0A，TA = -40°C 至 25°C ±4 ±40 mV
IOS, life 偏移寿命漂移 以输出为基准，IIN = 0A ±6 ±20 mV
PSRR 电源抑制比 以输出为基准，VS = 3V 至 5.5V，直流 40 53 dB
CMRR 共模抑制比 以输入为基准，直流至 60Hz 8 µA/V
CMFR 共模场抑制 均匀外部磁场，以输入为基准，直流至 1kHz 5 20 mA/mT
输入噪声密度 以输入为基准，全带宽 235 μA/√Hz
CL,MAX 最大容性负载 VOUT 至 GND 4.7 nF
短路输出电流 VOUT 接地短路，对 VS 短路 30 mA
摆幅 VS 相对于 VS 电源轨的摆幅 RL = 10kΩ 至 GND，TA = –40ºC 至 125ºC VS - 0.02 VS - 0.05 V
摆幅 GND 到 GND 的摆幅 5 10 mV
带宽和响应
BW 模拟带宽 - 3dB 增益 285 kHz
SR 压摆率(2) 达到最终值的 10% 和 90% 之间的输出变化率，输出阶跃为 1V，输入阶跃为 100ns(2) 1 V/µs
tr 响应时间(2) 输入和输出达到最终值的 90% 的时间，输入阶跃为 100ns，1V 输出转换(2) 1.2 µs
tpd 传播延迟(2) 输入和输出达到最终值的 10% 的时间，输入阶跃为 100ns，1V 输出转换(2) 300 ns
电流过载恢复时间 600 ns
过流检测
过流阈值误差 TA = -40°C 至 125°C ±8 %
过流迟滞 过流跳变阈值百分比 15 %
过流检测响应时间 IIN 阶跃 = 测得 IOC 的 120%，RPULLUP = 1kΩ 0.8 1.3 µs
OC,OL FAULT 引脚下拉电压 IOL = 3mA，TA = –40°C 至 125°C GND 0.07 0.2 V
电源
VS 电源电压 TA = -40ºC 至 +125ºC 3.0 5.5 V
IQ 静态电流 TA = -40ºC 至 +125ºC 5.5 7 mA
上电时间 从 VS > 3V 到有效输出的时间 500 µs
(1) 受结温热限制。当器件安装在器件 EVM 上时适用。更多详细信息，请参阅安全工作区部分。
(2) 有关器件的瞬态响应的详细信息，请参阅瞬态响应 部分。