ZHCSW76 June   2026 TMCS1170

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 绝缘规格
    6. 6.6 电气特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 精度参数
      1. 7.1.1 灵敏度误差
      2. 7.1.2 偏移量误差
      3. 7.1.3 非线性误差
      4. 7.1.4 电源抑制比
      5. 7.1.5 共模抑制比
      6. 7.1.6 外部磁场误差
    2. 7.2 瞬态响应参数
      1. 7.2.1 CMTI，共模瞬态抗扰度
    3. 7.3 安全工作区
      1. 7.3.1 持续直流或正弦交流电流
      2. 7.3.2 重复脉冲电流 SOA
      3. 7.3.3 单粒子电流能力
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电流输入
      2. 8.3.2 输入隔离
      3. 8.3.3 环境磁场抑制
      4. 8.3.4 内部基准电压
      5. 8.3.5 电流检测可测量范围
      6. 8.3.6 过流检测
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 断电行为
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 开发支持
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1.     封装选项附录
    2. 12.1 卷带包装信息
    3. 12.2 机械数据

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • VAP|12
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.1.2 偏移量误差

偏移量误差是指零输入电流与理想输出的偏差，并且通常会限制低输入电流水平下的测量精度。偏移量误差既可以输出为基准（作为失调电压误差），也可以输入为基准（作为失调电流误差）。当除以器件灵敏度 S 时，输出电压偏移量误差 VOE 以输入为基准，作为输入电流偏移量误差 IOS（请参阅方程式 3）。以输入为基准 (RTI) 的偏移量误差允许更直接地将偏移量误差与输入电流进行比较。无论偏移量误差是以输入为基准（作为电流偏移量误差 IOS），还是以输出为基准（作为电压偏移量误差 VOE），偏移量误差都是单个误差源，并且在以输入为基准或以输出为基准的误差计算中只能包括一次。

方程式 3. IOS=VOES

如 图 7-1 所示，TMCS1170 的输出电压偏移量误差 VOE 是零电流输出电压 VOUT,0A 和内部固定基准电压 VREF 之间的差（请参阅 方程式 4）。

方程式 4. V O E = V O U T , 0 A - V R E F

输出偏移量误差 VOE 包括霍尔传感器中的磁性偏移量误差、信号链中的失调电压误差以及内部零电流输出基准电压 VREF 中的偏移量误差。内部基准电压的值为 2.5V、1.65V 或 0.5V，具体取决于所选器件型号（TMCS1170Axx、TMCS1170Bxx 或 TMCS1170Cxx）。