ZHCSI63D February   2019  – August 2021 TLV9301 , TLV9302 , TLV9304

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 单通道器件的热性能信息
    5. 6.5 双通道器件的热性能信息
    6. 6.6 四通道器件的热性能信息
    7. 6.7 电气特性
    8. 6.8 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入保护电路
      2. 7.3.2 EMI 抑制
      3. 7.3.3 反相保护
      4. 7.3.4 过热保护
      5. 7.3.5 容性负载和稳定性
      6. 7.3.6 共模电压范围
      7. 7.3.7 电气过载
      8. 7.3.8 过载恢复
      9. 7.3.9 典型规格与分布
    4. 7.4 器件功能模式
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 高电压精密比较器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
  9. 9 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 开发支持
        1. 11.1.1.1 TINA-TI（免费软件下载）
        2. 11.1.1.2 TI 精密设计
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 11.7 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.7 电气特性

在 VS = (V+) – (V–) = 4.5V 至 40V (±2.25V 至 ±20V)、TA = 25°C、RL = 10kΩ（连接至 VS/2）、VCM = VS/2 且 VOUT = VS/2 条件下测得（除非另有说明）。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
失调电压
VOS 输入失调电压 VCM = V– ±0.5 ±2.5 mV
TA = –40°C 至 125°C ±2.75
dVOS/dT 输入失调电压漂移 TA = –40°C 至 125°C ±2 µV/℃
PSRR 输入失调电压与电源间的关系 VCM = V– TA = –40°C 至 125°C ±2 ±5 µV/V
通道隔离 f = 0Hz 5 µV/V
输入偏置电流
IB 输入偏置电流 ±10 pA
IOS 输入失调电流 ±10 pA
噪声
EN 输入电压噪声 f = 0.1Hz 至 10Hz   6 µVPP
  1   µVRMS
eN 输入电压噪声密度 f = 1kHz 33   nV/√Hz
f = 10kHz   30  
iN 输入电流噪声 f = 1kHz   5   fA/√Hz
输入电压范围
VCM 共模电压范围 (V-)-0.2 (V+) – 2 V
CMRR 共模抑制比 VS = 40V，(V–) – 0.1V < VCM < (V+) – 2V TA = –40°C 至 125°C 95 110 dB
VS = 4.5V，(V–) – 0.1V < VCM < (V+) – 2V 90
(V+) – 2V < VCM < (V+) + 0.1V 请参阅共模电压范围
输入电容
ZID 差分 110 || 4 MΩ || pF
ZICM 共模 6 || 1.5 TΩ || pF
开环增益
AOL 开环电压增益 VS = 40V，VCM = V–
(V–) + 0.1V < VO < (V+) – 0.1V		 120 130 dB
TA = –40°C 至 125°C 116 127
频率响应
GBW 增益带宽积 1 MHz
SR 压摆率 VS = 40V，G = +1，CL = 20pF 3 V/µs
tS 建立时间 精度达到 0.1%，VS = 40V，VSTEP = 10V，G = +1，CL = 20pF 5 µs
精度达到 0.1%，VS = 40V，VSTEP = 2V，G = +1，CL = 20pF 2.5
精度达到 0.01%，VS = 40V，VSTEP = 10V，G = +1，CL = 20pF 6
精度达到 0.01%，VS = 40V，VSTEP = 2V，G = +1，CL = 20pF 3.5
相位裕度 G = +1，RL = 10kΩ，CL = 20pF 60 °
过载恢复时间 VIN  × 增益 > VS 1 µs
THD+N 总谐波失真 + 噪声 VS = 40V，VO = 1 VRMS，G = -1，f = 1kHz 0.003%
输出
  相对于电源轨的电压输出摆幅 正负电源轨裕度 VS = 40V，RL = 空载   3 mV
VS = 40V，RL = 10kΩ   50 75
VS = 40V，RL = 2kΩ   250 350
VS = 4.5V，RL = 空载   1
VS = 4.5V，RL = 10kΩ   20 30
VS = 4.5V，RL = 2kΩ   40 75
ISC 短路电流 ±60 mA
CLOAD 容性负载驱动 请参阅典型特性
ZO 开环输出阻抗 f=1MHz，IO = 0A 600 Ω
电源
IQ 每个放大器的静态电流 IO = 0A 150 175 µA
TA = –40°C 至 125°C 175