ZHCSYQ4C December 1995 – July 2025 TLC27L1 , TLC27L1A
PRODUCTION DATA
7.1.2 输入特性
指定了 TLC27L1 的最小和最大输入电压，如果任一输入端电压超过该电压，可能会导致器件故障。超出此指定范围是一种常见问题，尤其是在单电源供电时。范围下限包括负电源导轨，而上限指定为 VDD – 1V（TA = 25°C 时）和 VDD – 1.5V（所有其他温度下）。
多晶硅栅极工艺的使用和精心设计的输入电路，使传统 TLC27L1 与传统金属栅极工艺相比具有非常好的输入偏移电压漂移特性。CMOS 器件中的偏移电压漂移在很大程度上受到植入氧化物中的磷掺杂剂极化引起的阈值电压漂移的影响。将磷掺杂剂置于导体（如多晶硅栅极）中可缓解极化问题，从而使阈值电压漂移降低一个数量级以上。偏移电压随时间的漂移计算值通常为 0.1μV/月，包括运行的第一个月。
传统 TLC27L1 之前提供的是外部输入偏移零控制。通过从传统的 150mm LinCMOS 处理迁移到 300mm 直径晶圆处理，输入偏移电压精度得到了相关改进，不再需要偏移调整或“偏置选择”引脚。这些引脚在新的硅器件上未进行内部连接，可以保持悬空或偏置到固定电压。这些新的硅器件还具有改进的转换率、电源电压抑制比和电压噪声。然而，这一改变引入了一个新的交叉区域，在该区域中，当输入共模电压接近 VDD 导轨时，输入偏移电压将会发生漂移（通常为 300µV–400µV）。图 7-3 和图 7-4 绘制了该特性在各种温度和 10V 电源下的平均值和标准偏差。
图 7-3 偏移电压与输入共模电压间的关系
图 7-4 偏移电压与输入共模电压间的关系由于极高的输入阻抗和由此产生的低偏置电流要求，TLC27L1 是低电平信号处理的绝佳选择。但是，印刷电路板和插座上的泄漏电流有时很容易超过偏置电流要求，且会导致器件性能下降。最佳实践是在输入端周围添加防护环（类似于参数测量信息 一节中图 6-4 的防护环）。在与共模输入相同的电压电平下，从低阻抗源驱动这些防护装置（请参阅图 7-5）