ZHCSEH6E December   2002  – August 2020 THS7530

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics: Main Amplifier
    6. 6.6 Package Thermal Data
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Test Circuits
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Continually-Variable Gain Control
      2. 8.3.2 Common-Mode Voltage Control
      3. 8.3.3 Output Voltage Clamps
      4. 8.3.4 Power-Down Mode
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Examples
  12. 12Device and Documentation Support
    1. 12.1 Device Support
      1. 12.1.1 第三方产品免责声明
      2. 12.1.2 Development Support
    2. 12.2 Documentation Support
      1. 12.2.1 Related Documentation
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 Trademarks
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  13. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

THS7530 器件采用德州仪器 (TI) 先进的 BiCom III SiGe 互补双极工艺制造。THS7530 是一款带有压控增益的直流耦合高带宽放大器。该放大器具有高阻抗差分输入和低阻抗差分输出，提供高带宽增益控制、输出共模控制和输出电压钳位功能。

带宽为 300MHz 时信号通道性能卓越
，而带宽为 32MHz 且 1VPP 输出到 400Ω 时会出现 –61dBc 的三次谐波失真。

增益控制（单位：dB）呈线性变化。在 0V 至 0.9V 电压范围内，增益以 38.8dB/V 的斜率由 11.6dB 变化为 46.5dB。

输出电压限制功能用于限制输出电压摆幅并避免后续级发生饱和。

该器件可在工业级温度范围内（–40°C 至 +85°C）额定运行。

器件信息(1)
器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
THS7530 HTSSOP (14) 5.00mm × 4.40mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
GUID-6B1FEE51-3242-4503-92FA-1C5F8F064731-low.gif典型应用电路