ZHCSYJ0AA April   1999  – October 2025 SN74LVC1G14

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性：-40°C 至 85°C
    7. 5.7 开关特性：-40°C 至 125°C
    8. 5.8 工作特性
    9. 5.9 典型特性
  7.   参数测量信息
  8. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 平衡型高驱动 CMOS 推挽式输出
      2. 6.3.2 CMOS 施密特触发输入
      3. 6.3.3 钳位二极管
      4. 6.3.4 局部断电 (Ioff)
      5. 6.3.5 过压容限输入
    4. 6.4 器件功能模式
  9. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  10. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  11. 9 修订历史记录
  12. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DPW|5
  • DBV|5
  • DSF|6
  • DCK|5
  • YZV|4
  • DRL|5
  • YZP|5
  • DRY|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

该单路施密特触发反相器设计在 1.65V 至 5.5V VCC 下运行。

SN74LVC1G14 器件包含一个逆变器并可执行布尔函数 Y = A。该器件可作为具有施密特触发输入的独立逆变器，因此该器件针对正向 (VT+) 和负向 (VT–) 信号具有不同的输入阈值电平，可提供磁滞 (ΔVT)，从而使器件能够耐受慢速或高噪声输入信号。

NanoFree™ 封装技术是 IC 封装概念的一项重大突破，它将硅晶片用作封装。

该器件专用于使用 Ioff 的局部断电应用。当器件断电时，Ioff 电路将会禁用输出。这会抑制电流回流到器件中，从而防止损坏器件。

封装信息
器件型号 封装(1) 封装尺寸(2) 本体尺寸（标称值）(3)
SN74LVC1G14 DBV（SOT-23，5） 2.90mm × 2.80mm 2.90mm × 1.60mm
DCK（SC70，5） 2.00mm × 2.10mm 2.00mm × 1.25mm
DRL（SOT-5X3，5） 1.60mm × 1.60mm 1.60mm × 1.20mm
DRY（USON，6） 1.45mm × 1.00mm 1.45mm × 1.00mm
DSF（X2SON，6） 1.00mm × 1.00mm 1.00mm × 1.00mm
YZP（DSBGA，5） 1.75mm × 1.75mm 1.39mm × 0.89mm
YZV (DSBGA，4) 1.25mm × 1.25mm 0.89mm × 0.89mm
DPW（X2SON，5） 0.80mm × 0.80mm 0.80mm × 0.80mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
(3) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，不包括引脚。
SN74LVC1G14 逻辑图（正逻辑）（DBV、DCK、DRL、DRY、DPW 和 YZP 封装）逻辑图（正逻辑）
（DBV、DCK、DRL、DRY、DPW 和 YZP 封装）
SN74LVC1G14 逻辑图（正逻辑）（YZV 封装）逻辑图（正逻辑）
（YZV 封装）