ZHCSTY5C November   2023  – May 2025 REF54

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性 REF54250
    6. 6.6  电气特性 REF54300
    7. 6.7  电气特性 REF54410
    8. 6.8  电气特性 REF54450
    9. 6.9  电气特性 REF54500
    10. 6.10 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 温漂
    2. 7.2 长期稳定性
    3. 7.3 噪声性能
      1. 7.3.1 1/f 噪声
      2. 7.3.2 宽带噪声
    4. 7.4 热迟滞
    5. 7.5 焊接热漂移
    6. 7.6 功率耗散
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 EN 引脚
      2. 8.3.2 NR 引脚
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 基本基准电压连接
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 高精度 ADC 连接基准
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.9 电气特性 REF54500

典型规格是在 TA = 25°C、IL = 0mA、CIN = 0.1µF、CREF = 10µF、CNR = 开路、VIN = VREF + VDO 条件下的值，最小值/最大值规格在整个温度范围内经过验证，除非另有说明
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
精度和温漂
输出电压精度 TA = 25°C -0.02 0.02 %
输出电压温度系数 Q 级；-40°C ≤ TA ≤ 125°C (1) 1.5 ppm/℃
陶瓷 (FKH) 封装；0°C ≤ TA ≤ 70°C (1) 0.5
C 级；0°C ≤ TA ≤ 70°C 1
线性调整率和负载调整率
ΔVR / ΔVIN 线性调整率 VREF + VDO ≤ VIN ≤ 10V 4 30 ppm/V
ΔVR / ΔVIN 线性调整率 VREF + VDO ≤ VIN ≤ 18V，0°C ≤ TA ≤ 70°C 1 5 ppm/V
VREF + VDO ≤ VIN ≤ 18V，–40°C ≤ TA ≤ 125°C (1) 1 10
ΔVR / ΔIL 负载调整率 IL = 0mA 至 10mA，VIN = VREF + VDO，-40°C ≤ TA ≤ 125°C (1) 5 30 ppm/mA
IL = 0mA 至 10mA，VIN = VREF+ VDO，0°C ≤ TA ≤ 70°C 5 20
IL = 0mA 至 -10mA，VIN = VREF + VDO，-40°C ≤ TA ≤ 125°C(1) 5 40
IL = 0mA 至 -10mA，VIN = VREF+ VDO，0°C ≤ TA ≤ 70°C 5 25
噪声
enp-p 低频噪声 ƒ = 0.1Hz 至 10Hz 0.45 ppmp-p
ƒ = 0.1Hz 至 10Hz，CNR = 100μF 0.08
en 输出电压噪声 ƒ = 10Hz 至 1kHz 0.7 ppmrms
迟滞和长期稳定性
ΔVREF_LTD 长期稳定性- SOIC (D) 封装 250h TA = 35°C 14 ppm
1000h TA = 35°C 25
2000h TA = 35°C 32
4500h TA = 35°C 46
ΔVREF_LTD 长期稳定性-陶瓷 (FKH) 封装 (1) 250h TA = 35°C 2 ppm
1000h TA = 35°C 3
2000h TA = 35°C 4
4500h TA = 35°C 4
ΔVREF_HYS 输出电压迟滞- SOIC (D) 封装 25°C、0°C、70°C、25°C（周期 1） 18 ppm
25°C、0°C、70°C、25°C（周期 2） 0.8
ΔVREF_HYS 输出电压迟滞-陶瓷 (FKH) 封装 (1) 25°C、0°C、70°C、25°C（周期 1）– FKH 封装 5 ppm
25°C、0°C、70°C、25°C（周期 2）– FKH 封装 0.5 ppm
开通时间
tON 导通时间 0.1% 稳定，CREF = 1µF 0.7 ms
容性负载
CIN 稳定的输入电容器范围 –40°C ≤ TA ≤ 125°C 0.1 µF
CREF 稳定的输出电容器范围(2)  –40°C ≤ TA ≤ 125°C 1 100 µF
电源
VIN 输入电压 VREF + VDO 18 V
IQ 静态电流 TA = 25°C 工作模式 300 380 µA
–40°C ≤ TA ≤ 125°C 430 µA
TA = 25°C 关断模式 0.25 0.7 uA
–40°C ≤ TA ≤ 125°C 1 uA
VEN 使能引脚电压 工作模式 (EN=1) 1.6 V
关断模式 (EN=0) 0.5 V
IEN 使能引脚电流 VIN = VEN = 18V 0.25 0.7 uA
VIN = VEN = 18V，–40°C ≤ TA ≤ 125°C 1.2 uA
VDO 压降电压 IL = 5mA，–40°C ≤ TA ≤ 125°C 250 mV
IL = 10mA，–40°C ≤ TA ≤ 125°C 400 mV
ISC 短路电流 VREF = 0V 21 mA
(1) 预发布规格。在发布正式版本时可能会发生更改。
(2) 电容器的 ESR 范围为 10mΩ 至 1Ω