ZHCSSC6D February   2023  – October 2025 MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
    3. 6.3 信号说明
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源斜坡
      1. 7.6.1 POR 和 BOR
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
        1. 7.9.1.1 SYSOSC 典型频率精度
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 系统锁相环 (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
      5. 7.9.5 高频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
    13. 7.13 典型连接图
    14. 7.14 温度传感器
    15. 7.15 VREF
      1. 7.15.1 电压特性
      2. 7.15.2 电气特性
    16. 7.16 GPAMP
      1. 7.16.1 电气特性
      2. 7.16.2 开关特性
    17. 7.17 I2C
      1. 7.17.1 I2C 时序图
      2. 7.17.2 I2C 特性
      3. 7.17.3 I2C 滤波器
    18. 7.18 SPI
      1. 7.18.1 SPI
      2. 7.18.2 SPI 时序图
    19. 7.19 UART
    20. 7.20 TIMx
    21. 7.21 仿真和调试
      1. 7.21.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  操作模式
      1. 8.2.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0G110x)
    3. 8.3  电源管理单元 (PMU)
    4. 8.4  时钟模块 (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  事件
    7. 8.7  存储器
      1. 8.7.1 内存组织
      2. 8.7.2 外设文件映射
      3. 8.7.3 外设中断向量
    8. 8.8  闪存存储器
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度传感器
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 I2C
    19. 8.19 SPI
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 RTC
    22. 8.22 计时器 (TIMx)
    23. 8.23 器件模拟连接
    24. 8.24 输入/输出图
    25. 8.25 串行线调试接口
    26. 8.26 引导加载程序 (BSL)
    27. 8.27 器件出厂常量
    28. 8.28 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGZ|48
  • PT|48
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

MSPM0G110x 微控制器 (MCU) 属于 MSP 高度集成的超低功耗 32 位 MCU 系列，该 MCU 系列基于增强型 Arm® Cortex®-M0+ 32 位内核平台，工作频率最高可达 80MHz。这些成本优化型 MCU 提供高性能模拟外设集成，支持 -40°C 至 105°C 的工作温度范围，并在 1.62V 至 3.6V 的电源电压下运行。

MSPM0G110x 器件提供具有内置纠错码 (ECC) 且高达 128KB 的嵌入式闪存程序存储器以及具有硬件奇偶校验选项且高达 32KB 的 SRAM。这些器件还包含存储器保护单元、7 通道 DMA 和各种高性能模拟外设，例如两个 12 位 4Msps ADC、可配置内部共享电压基准和一个通用放大器。这些器件还提供智能数字外设，例如两个 16 位高级控制计时器、五个通用计时器（具有一个用于 QEI 接口的 16 位通用计时器、两个用于待机模式的 16 位通用计时器和一个 32 位通用计时器）、两个窗口式看门狗计时器以及一个具有警报和日历模式的 RTC。这些器件提供数据完整性和加密外设（CRC）以及增强型通信接口（四个 UART、两个 I2C、两个 SPI）。

TI MSPM0 系列低功耗 MCU 包含具有不同模拟和数字集成度的器件，可让客户找到满足其工程需求的 MCU。MSPM0 MCU 平台将 Arm Cortex-M0+ 平台与超低功耗整体系统架构相结合，使系统设计人员能够在降低能耗的同时提高性能。

MSPM0G110x MCU 由广泛的硬件和软件生态系统提供支持，随附参考设计和代码示例，便于您快速开始设计。开发套件包括可供购买的 LaunchPad。TI 还提供免费的 MSP 软件开发套件 (SDK)，该套件在 TI Resource Explorer 中作为 Code Composer Studio™ IDE 桌面版和云版组件提供。MSPM0 MCU 还通过 MSP Academy 提供广泛的在线配套资料、培训，并通过 TI E2E™ 支持论坛提供在线支持。

有关完整的模块说明，请参阅 MSPM0 G 系列 80MHz 微控制器技术参考手册。

表 3-1 器件比较
器件名称 封装 封装尺寸
MSPM0G1106TPMR 64 LQFP 12mm × 12mm
MSPM0G1107TPMR
MSPM0G1105TPTR 48 LQFP 9mm × 9mm
MSPM0G1106TPTR
MSPM0G1107TPTR
MSPM0G1105TRGZR 48 VQFN 7mm × 7mm
MSPM0G1106TRGZR
MSPM0G1107TRGZR
MSPM0G1106TRHBR 32 VQFN 5mm × 5mm
MSPM0G1107TRHBR
MSPM0G1107TDGSR28 28 VSSOP 7.1mm × 4.9mm
MSPM0G1106TYCJR 28 DSBGA 2.65mm × 1.57mm
MSPM0G1107TYCJR
MSPM0G1107TRGER 24 VQFN 4mm × 4mm
警告：

系统级静电放电 (ESD) 保护必须符合器件级 ESD 规范，以防发生电过应力或对数据或代码存储器造成干扰。有关更多信息，请参阅 MSP430™ 系统级 ESD 注意事项。本应用手册中的准则适用于 MSPM0 MCU。