ZHCSRV6A march 2023 – april 2023 LMG3526R030
PRODUCTION DATA
LMG3526R030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。
LMG3526R030 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间,这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。
高级功能包括数字温度报告、故障检测和零电压检测 (ZVD)。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。ZVD 功能可在实现零电压开关 (ZVS) 时提供来自 ZVD 引脚的脉冲输出。
器件型号 | 封装 (1) | 封装尺寸(标称值) |
---|---|---|
LMG3526R030 | VQFN (52) | 12.00mm × 12.00mm |