ZHCSTP6A May   2024  – November 2025 LMG2650

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 GaN 功率 FET 开关参数
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  GaN 功率 FET 开关能力
      2. 7.3.2  导通压摆率控制
      3. 7.3.3  电流检测仿真
      4. 7.3.4  自举二极管功能
      5. 7.3.5  输入控制引脚(EN、INL、INH、GDH)
      6. 7.3.6  INL - INH 互锁
      7. 7.3.7  AUX 电源引脚
        1. 7.3.7.1 AUX 上电复位
        2. 7.3.7.2 AUX 欠压锁定 (UVLO)
      8. 7.3.8  BST 电源引脚
        1. 7.3.8.1 BST 上电复位
        2. 7.3.8.2 BST 欠压锁定 (UVLO)
      9. 7.3.9  过流保护
      10. 7.3.10 过热保护
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 LLC 应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 AHB 应用
      3. 8.2.3 电机驱动器应用
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 焊点应力消除
        2. 8.4.1.2 信号接地连接
        3. 8.4.1.3 CS 引脚信号
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • GaN 功率 FET 半桥:650V
  • 低侧和高侧 GaN FET: 95
  • 具有低传播延迟的集成栅极驱动器:< 100ns
  • 可编程导通压摆率控制
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 低侧参考 (INH) 和高侧参考 (GDH) 高侧栅极驱动引脚
  • 低侧 (INL) 和高侧 (INH) 栅极驱动互锁
  • 高侧 (INH) 栅极驱动信号电平转换器
  • 智能开关自举二极管功能
  • 高侧启动:<8µs
  • 低侧和高侧逐周期过流保护
  • 过热保护
  • AUX 空闲静态电流:250μA
  • AUX 待机静态电流:50μA
  • BST 空闲静态电流:70μA
  • 具有双散热焊盘的 6mm × 8mm QFN 封装