ZHCSTP6A May   2024  – November 2025 LMG2650

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 GaN 功率 FET 开关参数
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  GaN 功率 FET 开关能力
      2. 7.3.2  导通压摆率控制
      3. 7.3.3  电流检测仿真
      4. 7.3.4  自举二极管功能
      5. 7.3.5  输入控制引脚（EN、INL、INH、GDH）
      6. 7.3.6  INL - INH 互锁
      7. 7.3.7  AUX 电源引脚
        1. 7.3.7.1 AUX 上电复位
        2. 7.3.7.2 AUX 欠压锁定 (UVLO)
      8. 7.3.8  BST 电源引脚
        1. 7.3.8.1 BST 上电复位
        2. 7.3.8.2 BST 欠压锁定 (UVLO)
      9. 7.3.9  过流保护
      10. 7.3.10 过热保护
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 LLC 应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 AHB 应用
      3. 8.2.3 电机驱动器应用
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 焊点应力消除
        2. 8.4.1.2 信号接地连接
        3. 8.4.1.3 CS 引脚信号
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.1 GaN 功率 FET 开关能力

由于硅 FET 长期占据功率开关技术的主导地位，许多设计人员没有意识到铭牌漏源电压不能用作跨技术比较器件的等效点。硅 FET 的铭牌漏源电压由雪崩击穿电压决定。GaN FET 的铭牌漏源电压是根据对数据表规格的长期遵从性设定的。

超过硅 FET 的铭牌漏源电压可能会立即导致损坏或造成永久性损坏。同时，GaN FET 的击穿电压远高于铭牌漏源电压。例如，LMG2650 GaN 功率 FET 的击穿漏源电压超过 800V，这使得 LMG2650 能够在超过相同铭牌额定硅 FET 的条件下运行。

我们借助图 7-1 说明了 LMG2650 GaN 功率 FET 开关能力。该图显示了在开关应用中，LMG2650 GaN 功率 FET 在单个开关周期内漏源电压随时间的变化情况。不对开关频率或占空比进行任何声明。


LMG2650 GaN 功率 FET 开关能力

图 7-1 GaN 功率 FET 开关能力

FET 处于导通状态时，波形在 t0 之前开始。在 t0 时，GaN FET 关断，寄生元件导致漏源电压以高频振铃。高频振铃已经减弱了 t1。在 t1 和 t2 之间，FET 漏源电压由开关应用的特性响应设置。特性以一条平坦的线（平坦区）显示，但可以有其他响应。在 t2 时，GaN FET 导通。正常运行时，瞬态振铃电压限制为 650V，平坦电压限制为 520V。对于罕见的浪涌事件，瞬态环电压限制为 800V，平坦电压限制为 720V。