ZHCSTP6A May 2024 – November 2025 LMG2650
PRODUCTION DATA
LMG2650 为低侧和高侧器件电路实现了单独的过热保护。低侧过热保护功能可阻止 INL 引脚导通低侧 GaN 功率 FET,并在低侧温度高于过热保护温度时阻止 INH 引脚导通高侧 GaN 功率 FET。如果高侧温度高于过热保护温度,高侧过热保护会阻止 GDH 引脚导通高侧 GaN 功率 FET。图 7-3 展示了过热阻断操作。过热保护迟滞可避免不稳定的热循环。
当 AUX 电压高于 AUX 上电复位电压时,将启用低侧过热保护。当 AUX 电源轨在电源转换器冷却阶段下降时,低 AUX 上电复位电压有助于过热保护功能保持运行。当 BST 至 SW 电压高于 BST 上电复位电压时,将启用高侧过热保护。