ZHCSWR0A July   2024  – October 2024 LMG2100R026

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和失配测量
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制输入
      2. 7.3.2 启动和 UVLO
      3. 7.3.3 自举电源电压钳位
      4. 7.3.4 电平转换
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VCC 旁路电容器
        2. 8.2.2.2 自举电容器
        3. 8.2.2.3 压摆率控制
        4. 8.2.2.4 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • VBN|18
  • VBN|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

传播延迟和失配测量

图 6-1 展示了用于测量传播失配的典型测试设置。由于无法访问栅极驱动器,因此该测试电路中的上拉和下拉电阻器用于指示低侧 GaN FET 何时导通以及高侧 GaN FET 何时关闭,反之用于测量 tMON 和 tMOFF 参数。此电路中用于上拉和下拉电阻器的电阻值约为 1kΩ;使用的电流源为 2A。

图 6-2图 6-5 展示了传播延迟测量波形。进行导通传播延迟测量时,不使用电流源。对于关断时间测量,电流源设置为 2A,并且还会设置电压钳位限值,称为 VIN(CLAMP)。测量高侧元件关断延迟时,高侧 FET 上的电流源导通,低侧 FET 上的电流源关闭,HI 从高电平转换为低电平,输出电压从 VIN 转换为 VIN(CLAMP)。同样,测量低侧元件关断传播延迟时,高侧元件电流源关闭,低侧元件电流源导通,LI 从高电平转换为低电平,输出从 GND 电位转换为 VIN(CLAMP)。LI 转换和输出变化之间的时间差就是传播延迟时间。

LMG2100R026 传播延迟和传播失配测量图 6-1 传播延迟和传播失配测量
LMG2100R026 高侧栅极驱动器导通图 6-2 高侧栅极驱动器导通
LMG2100R026 高侧栅极驱动器关断
时间
图 6-4 高侧栅极驱动器关断
LMG2100R026 低侧栅极驱动器导通图 6-3 低侧栅极驱动器导通
LMG2100R026 低侧栅极驱动器关断图 6-5 低侧栅极驱动器关断