ZHCSWR0A July 2024 – October 2024 LMG2100R026
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
图 6-1 展示了用于测量传播失配的典型测试设置。由于无法访问栅极驱动器,因此该测试电路中的上拉和下拉电阻器用于指示低侧 GaN FET 何时导通以及高侧 GaN FET 何时关闭,反之用于测量 tMON 和 tMOFF 参数。此电路中用于上拉和下拉电阻器的电阻值约为 1kΩ;使用的电流源为 2A。
图 6-2 到图 6-5 展示了传播延迟测量波形。进行导通传播延迟测量时,不使用电流源。对于关断时间测量,电流源设置为 2A,并且还会设置电压钳位限值,称为 VIN(CLAMP)。测量高侧元件关断延迟时,高侧 FET 上的电流源导通,低侧 FET 上的电流源关闭,HI 从高电平转换为低电平,输出电压从 VIN 转换为 VIN(CLAMP)。同样,测量低侧元件关断传播延迟时,高侧元件电流源关闭,低侧元件电流源导通,LI 从高电平转换为低电平,输出从 GND 电位转换为 VIN(CLAMP)。LI 转换和输出变化之间的时间差就是传播延迟时间。
图 6-2 高侧栅极驱动器导通
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图 6-3 低侧栅极驱动器导通
图 6-5 低侧栅极驱动器关断