ZHCSWR0A July   2024  – October 2024 LMG2100R026

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和失配测量
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制输入
      2. 7.3.2 启动和 UVLO
      3. 7.3.3 自举电源电压钳位
      4. 7.3.4 电平转换
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VCC 旁路电容器
        2. 8.2.2.2 自举电容器
        3. 8.2.2.3 压摆率控制
        4. 8.2.2.4 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • VBN|18
  • VBN|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

器件功能模式

LMG2100R026 可在正常模式和 UVLO 模式下运行。有关 UVLO 工作模式的信息,请参阅节 7.3.2。在正常模式下,输出状态取决于 HI 和 LI 引脚的状态。表 7-3 列出了不同输入引脚组合的输出状态。请注意,当 HI 和 LI 均生效时,功率级中的两个 GaN FET 都会导通。必须仔细考虑控制输入以避免这种状态,因为这种状态会导致击穿情况,从而可能导致器件永久损坏。

表 7-3 真值表
HILI高侧 GaN FET低侧 GaN FETSW
LL关闭关闭高阻态
LH关闭开启PGND
HL开启关闭VIN
HH开启开启- - -