ZHCSV22 November   2025 ISOW6441 , ISOW6442

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性 - 电源转换器
    10. 5.10 电源电流特性 - 电源转换器
    11. 5.11 电气特性通道隔离器 - VDD = 5V,VDDL = 5V,VISO = 5V
    12. 5.12 电源电流特性通道隔离器 - VDD、VDDL = 5V,VISO = 5V
    13. 5.13 电气特性通道隔离器 - VDD = 5V,VDDL = 5V,VISO = 3.3V
    14. 5.14 电源电流特性通道隔离器 - VDD、VDDL = 5V,VISO = 3.3V
    15. 5.15 电气特性通道隔离器 - VDD = 3.3V,VDDL = 3.3V,VISO = 3.3V
    16. 5.16 电源电流特性通道隔离器 - VDD、VDDL = 3.3V,VISO = 3.3V
    17. 5.17 电气特性通道隔离器 - VDDL = 2.5V
    18. 5.18 电源电流特性通道隔离器 - VDDL = 2.5V
    19. 5.19 开关特性 - VDDL = 5V,VISO = 5V
    20. 5.20 开关特性 - VDDL = 3.3V,VISO = 3.3V
    21. 5.21 开关特性 - VDDL = 2.5V,VISO = 5V
    22. 5.22 开关特性 - VDDL = 2.5V,VISO = 3.3V
  7. 参数测量信息
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
      1. 7.1.1 电源隔离
      2. 7.1.2 信号隔离
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电磁兼容性 (EMC) 注意事项
      2. 7.3.2 上电和断电行为
      3. 7.3.3 保护特性
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 器件 I/O 原理图
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 PCB 材料
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1.     封装选项附录
    2. 11.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

布局指南

低成本的双层 PCB 足以实现良好的 EMC 性能:

  • 在顶层布置高速走线可避免使用过孔(及其引入的电感),并在隔离器与数据链路的发送器和接收器电路之间实现可靠互连。
  • 通过在高速信号层旁边放置一个实心接地层,可以为传输线互连建立受控阻抗,并为返回电流提供出色的低电感路径。
  • 靠近接地层放置电源层会额外产生大约 100pF/in2 的高频旁路电容。
  • 在底层路由速度较慢的控制信号可实现更高的灵活性,因为这些信号链路通常具有裕量来承受过孔等导致的不连续性。
  • 为了获得最佳 EMC 性能,2 GND 1 引脚必须短接至 GND 1 平面,类似地 2 GND 2 引脚必须短接至 GND 2 平面。

如果需要额外的电源电压层或信号层,请在堆叠中添加另一个电源层或接地层系统,以使这些层保持对称。这样可使栈保持机械稳定并防止其翘曲。此外,每个电源系统的电源和接地层可以放置得更靠近彼此,从而显著增大高频旁路电容。

该器件没有散热焊盘来散热,因此会通过相应的 GND 引脚进行散热。验证两个 GND 引脚上都存在足够的覆铜,以防器件的内部结温上升到不可接受的水平。

下面的布局示例显示了器件旁路电容器的推荐放置和布线。为满足应用 EMC 要求,必须遵循以下指南:

  • 100nF 高频旁路电容器必须靠近 VDD 和 VISO 引脚放置,距离器件引脚的距离小于 1mm。这对于优化辐射发射性能至关重要。验证这些电容器尺寸为 0402,以使电容器产生最少的电感 (ESL)。
  • 在电源转换器输入端 (VDD) 必须放置至少为 10μF 的大容量电容器
  • VDD 和 GND1 上的布线必须对称,直到连接旁路电容器。
  • 对于低辐射发射设计,强烈建议尽可能遵循 EVM 的布局指南。