ZHCSV22 November 2025 ISOW6441 , ISOW6442
ADVANCE INFORMATION
若要使用此器件进行设计,请使用表 8-1 中列出的参数。
| 参数 | 值 |
|---|---|
| VDD 输入电压 | 3V 至 5.5V |
| VDDL 输入电压 |
2.25V 至 5.5V |
| VDD 解耦电容器 | 10µF + 1µF + 0.01µF + 可选附加电容 |
| VDDL 解耦电容器 | 0.1µF + 可选附加电容 |
| VISO 解耦电容器 | 10µF + 1µF + 0.01µF + 可选附加电容 |
流过 ISOW6441 器件 VDD 和 VISO 电源的电流很大,因此通常去耦电容器越大,器件的噪声和纹波性能就越出色。尽管 10µF 的电容器就足够了,但强烈建议在 VISO 和 VDD 引脚与相应接地端之间使用更大的去耦电容器(例如 47µF),以实现最佳性能。