ZHCSZ11 October 2025 – November 2025 ISO6463
PRODMIX
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VOH(OUTx) | OUTx（输出）高电平输出电压 | IOH = -1mA；请参阅节 7 | VCCO - 0.1 (1) | V | ||
| VOL(OUTx) | OUTx（输出）低电平输出电压 | IOL = 1mA；请参阅节 7 | 0.1 | |||
| VIT+(INx) | INx（输入）开关阈值电压，上升 | 0.7 x VCCI(1) | ||||
| VIT-(INx) | INx（输入）开关阈值电压，下降 | 0.3 x VCCI | ||||
| VI_HYS(INx) | INx（输入）开关阈值电压迟滞 | 0.1 x VCCI | ||||
| II(INx) | INx（输入）输入电流（默认为高电平器件） | 高输入电流： 在 INx 时（泄露电流），VIH = VCCI (1) | 1 | µA | ||
| 低输入电流： 在 INx 时（漏电流和通过默认高上拉电阻的电流），VIL = 0V | -10 | |||||
| INx（输入）输入电流（默认为低电平器件，带 F 后缀） | 高输入电流：在 INx 时（漏电流和通过默认低电平上拉电阻的电流），VIH = VCCI (1) | 10 | ||||
| 低输入电流：在 INx 时（泄露电流），VIL = 0V | -1 | |||||
| CMTI_R | 共模瞬态抗扰度、增强型隔离器件（DW 封装） | VI = VCC 或 0V，VCM = 1200V；请参阅节 7 | 200 | 250 | kV/µs | |
| Ci | 输入电容 (2) | VI = VCC/2 + 0.4×sin(2πft)，f = 2MHz，VCC = 2.5V | 1.5 | pF | ||