ZHDS044C January   2026  – April 2026 INA151

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
      1. 7.1.1 INA151 跨导架构概述
      2. 7.1.2 多路复用能力
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入共模电压范围
      2. 7.3.2 低输入偏置电流
      3. 7.3.3 G=1/4 (INA151D) 时的基准电压范围
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 输出启用和禁用
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 基准引脚
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 使用 INA151 进行电池监控
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 直流精度计算
          2. 8.2.1.2.2 RC 滤波器设计注意事项
          3. 8.2.1.2.3 ADC 输入保护
        3. 8.2.1.3 多路复用器配置中的输出上拉电阻器
        4. 8.2.1.4 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
        1. 9.1.1.1 PSpice® for TI
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

在 TA = 25°C、VS = ±5 V、RL = 10 kΩ、VDGND = VREF = VCM = VS / 2 时（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
VOS 失调电压 (RTI) VS = ±5V，VCM = 0V G = 1 (A) ±0.3 ±0.9 mV
G = 2/3 (B) ±0.37 ±1.3
G = 1/2 (C) ±0.52 ±1.7
G = 1/4 (D) ±0.96 ±3.4
失调电压漂移 (RTI)  TA = -40°C 至 125°C G = 1 (A) ±0.1 ±0.6 µV/°C
G = 2/3 (B) ±0.15 ±0.92
G = 1/2 (C) ±0.2 ±1.2
G = 1/4 (D) ±0.4 ±2.4
PSRR 电源抑制比 (RTI)  VS = ±1.35V 至 ±10V, VCM = (VS–) + 40V G = 1 (A) 83 dB
G = 2/3 (B) 79
G = 1/2 (C) 76
G = 1/4 (D) 69
VCM 共模电压 (1) TA = -40°C 至 125°C (V–) + 4.3 (V–) + 110 V
VDM 差模电压 (1) TA = -40°C 至 125°C -5 5 V
TA = –40°C 至 125°C G = 1/4 -4.7 4.7
CMRR 共模电压输出抑制 VCM = –0.7V 至 105V，RS = 0Ω G=1，2/3，1/2 125 137 dB
G = 1/4 123 135
RVR 基准电压抑制 VREF = -4.7V 至 4.7V G = 1、2/3 ±50 ±250 µV/V
VREF = -4.7V 至 4.5V G = 1/2 ±50 ±250
VREF = -4.7V 至 0.1V G = 1/4 ±50 ±250
反向输入保护 (V–) – 85 V
RDM 差分输入阻抗 45 kΩ
RCM 共模输入阻抗 VCM = 0V 至 110V 1 mΩ
输出阻抗 EN = 高 请参阅典型特性 Ω
EN = 低 G = 1 (A) 562.5 kΩ
G = 2/3 (B) 395.83
G = 1/2 (C) 312.5
G = 1/4 (D) 187.5
IB 输入偏置电流 VDM = 0mV，IB+ 21 µA
VDM = 0mV，IB– 21
VDM = 5V，EN = 高(4) +55/-11
VDM = 5V，EN = 低 +/-30
输入偏置电流漂移 TA = -40°C 至 125°C 1.8 nA/℃
IOS 输入失调电流(2) VDM= 0mV ±250 pA
输入失调电流漂移(2) TA = -40°C 至 125°C 0.3 pA/℃
噪声
eN 电压噪声 (RTI) f = 1kHz G = 1 (A) 485 nV/√Hz
G = 2/3 (B) 502
G = 1/2 (C) 506
G = 1/4 (D) 576
增益
GE 增益误差 VDM = ±4.7V ±0.005 ±0.025 %
增益误差 G = 1/4 ±0.015 ±0.04
增益误差漂移 TA = -40°C 至 +125°C  0.05 2 ppm/°C
增益非线性 VDM= ±4.7V 2 ppm
输出
输出电压 RL = 10kΩ，TA = –40℃ 至 125℃ (V–) + 0.3 (V+) – 0.3 V
CL 负载电容 稳态工作模式 G=1 (A), 2/3 (B) 0.5 nF
G=1/2 (C), 1/4 (D) 0.3
ISC 短路电流 持续达 Vs/2 灌电流 25 mA
拉电流 17
频率响应
BW 带宽，–3dB CL = 100pF G = 1 (A) 620 kHz
G = 2/3 (B) 850
G = 1/2 (C) 1080
G = 1/4 (D) 1600
SR 压摆率 VDM=±4.7V 2.2 V/µs
tS 趋稳时间 VDM= ±4.5V 步进，VCM=5V G = 1 (A) 达 0.1% 9 µs
达 1% 4.8
G = 2/3 (B) 达 0.1% 7.6
达 1% 3.8
G = 1/2 (C) 达 0.1% 10.2
达 1% 2.7
G = 1/4 (D) 达 0.1% 8.9
达 1% 1.9
输出使能时间 达 0.1% 15 µs
输出禁用时间(3) 达 0.1% 16
过载恢复 50% 输入过载 16 µs
电源
IQ(VS+) 流入 VS+ 的静态电流 VDM = 0V，EN = 高 430 550 µA
IQ(VS–) 流入 VS– 的静态电流 VDM = 0V，EN = 高 -570 -460 µA
IQ 流入 VS+/VS– 的静态电流 VDM = 0V，EN = 低 ±300 µA
静态电流漂移 VDM = 0V，TA = -40°C 至 125°C -0.07 µA/℃
启用逻辑
VEN 启用输入逻辑低电平 EN = 低、DGND DGND DGND + 0.9 V
启用输入逻辑高电平 EN = 高，DGND DGND + 2 DGND + 5 V
启用输入电流 VEN = DGND + 5V 1.9 µA
VDGND DGND 电压 (VS+) – (VS–) ≤ 12.7V (VS–) (VS+) – 2.7 V
VDGND DGND 电压 (VS+) – (VS–) > 12.7V (VS–) (VS–) + 10 V
(1) 请将两个输入保持在最低要求以上。
(2) 根据设计指定。
(3) 输出禁用时间取决于器件的输出网络，该网络因型号和连接的负载而异。有关更多信息，请参阅“典型应用”。
(4) 非对称输入偏置电流，流入器件的正 IB，流出器件的负 IB。有关更多信息，请参阅“低输入偏置电流”章节。