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ZHDS044B January 2026 – March 2026 INA151

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DDF|8
- MPDS569D

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

8.2.1.2.1 直流精度计算

表 8-2 INA151B - FSR 为 4.5V 时的典型和最大直流精度计算

误差源	FSR = 4.5V 时的误差计算	规格（典型值）	误差 (PPM)	规格（最大值）	误差 (PPM)
电池 1 在 25°C 时的绝对精度
输入级失调电压 V_OSI	$\frac{V_{O S I}}{F S R} \times 10^{6}$	200μV	44.4	1200μV	266.7
共模抑制比 CMRR_ERROR	$10^{\frac{V_{C M}}{\frac{C M R R}{20}}}, V_{C M} = 0 V$	140dB	0	125dB	0
来自 INA151 GE 的增益误差	$G E % \times 10^{6}$	0.01%	10	0.03	30
总误差 (RSS)	$\sqrt{{V_{O S I}}^{2} + {G E}_{}^{2} + {C M R R}_{E R R O R}^{2}}$		45.1		268.3
电池 16 在 25°C 时的绝对精度
输入级失调电压 V_OSI	$\frac{V_{O S I}}{F S R} \times 10^{6}$	200μV	44.4	1200μV	268.3
共模抑制比 CMRR_ERROR	$10^{\frac{V_{C M}}{\frac{C M R R}{20}}}, V_{C M} = 67.5 V$	140dB	1.5	125dB	37.9
来自 INA151 GE 的增益误差	$G E % \times 10^{6}$	0.01%	10	0.03%	30
总误差 (RSS)	$\sqrt{{V_{O S I}}^{2} + {G E}_{}^{2} + {C M R R}_{E R R O R}^{2}}$		45.5		272.6

表 8-3 C2000-xxF25 ADC 的典型误差预算

误差源	参数（典型值）	CELL1 的电压误差 (ppm)	CELL16 的电压误差 (ppm)
ADC	失调电压	488	488
	增益误差	688（3.1V 时）	688（3.1V 时）
	INL	244	244
ADC 典型误差		878	878
总计典型误差 (RSS)		902	902

根据上述误差预算分析，主要误差源是内部 ADC，其典型误差值为 878ppm，是 INA151 在 45ppm 下误差的二十倍以上。考虑使用 RSS（平方和根）计算误差，可得出总误差为 902ppm，该误差与满量程的 0.09% 精度相关。